HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
HN系列 雷電沖擊電壓發(fā)生器 調(diào)頻串聯(lián)諧振 電子式多倍頻發(fā)生器產(chǎn)品簡介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

電源為何需要浪涌防護(hù)電路電源模塊是系統(tǒng)與外部接觸、接口的，外部傳來的浪涌都經(jīng)過電源模塊，所以需要浪涌防護(hù)電路。由于電源模塊體積小，集成度高，內(nèi)部的控制芯片和晶體管等器件耐壓和電流都比較極限，一個(gè)浪涌電壓過來可能就使模塊損壞失效，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的，即使沒有立馬損壞，器件受到應(yīng)力沖擊，也會(huì)影響壽命和可靠性，所以為了保證電源模塊持續(xù)可靠的應(yīng)用，一般都需要加上浪涌防護(hù)電路。電源模塊受限于體積小，很多模塊內(nèi)部不能加上防浪涌電路，所以需要在模塊的外部加上防浪涌電路。

沖擊測試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

回想您過去作為工程師的一年：您的角色發(fā)生了何種變化？過去五年又發(fā)生了哪些變化？隨著技術(shù)變革的步伐不斷加快，您必須調(diào)整工作的各個(gè)方面，并提率。一起拜讀下這篇來自NI產(chǎn)品營銷經(jīng)理JonahPaul的LabVIEWNXG優(yōu)勢盤點(diǎn)好文。在Aspencore（前稱UBM）2015年進(jìn)行的一項(xiàng)測試測量研究中，包括半導(dǎo)體、汽車、國防和航天在內(nèi)的多個(gè)行業(yè)的工程師列出以下幾個(gè)方面為其測試開發(fā)演變過程中主要的變化：“適應(yīng)快速變化的技術(shù)，為終端用戶提供測試能力和價(jià)值。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)于這個(gè)問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。