HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
來(lái)電咨詢 沖擊電壓測(cè)試系統(tǒng) 變頻諧振串聯(lián)諧振 電子式多倍頻發(fā)生器產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

同時(shí)觀測(cè)了兩個(gè)通道的時(shí)域波形及頻譜，并且采用了重疊顯示，以便于頻譜之間的對(duì)比。SpectrumView支持移動(dòng)SpectrumTime的位置，如標(biāo)記處所示，以觀測(cè)不同時(shí)刻的頻譜。每個(gè)通道SpectrumTime的位置默認(rèn)是聯(lián)動(dòng)的，這保證了各個(gè)通道測(cè)試頻譜的相關(guān)性。當(dāng)取消聯(lián)動(dòng)設(shè)置后，也可以立設(shè)置每個(gè)通道的SpectrumTime位置。所有通道的頻譜共用相同的Span、RBW、FFTWindow，這一點(diǎn)與時(shí)域要求多通道間共用采樣率、水平時(shí)基及觸發(fā)類似。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

為了解決這個(gè)問(wèn)題，必須制定一系列的內(nèi)部接口標(biāo)準(zhǔn)，否則行業(yè)將成為碎片化的產(chǎn)業(yè)。2003年，由ARM,Nokia,ST,TI等公司聯(lián)合成立了一個(gè)聯(lián)盟——MIPI是，目的就是是把內(nèi)部的接口如攝像頭、顯示屏接口、射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化，從而減少設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度和增加設(shè)計(jì)靈活性。MIPI聯(lián)盟下面有不同的WorkGroup，分別定義了一系列的內(nèi)部接口標(biāo)準(zhǔn)，比如攝像頭接口CS顯示接口DS射頻接口DigR麥克風(fēng)/喇叭接口SLIMbus等。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

目前常用的離子化方法（EICP、ESMALDI等）在實(shí)驗(yàn)中（嚴(yán)格來(lái)說(shuō)僅在一定濃度范圍內(nèi)——術(shù)語(yǔ)是動(dòng)態(tài)范圍，dynamicrange）都至少滿足樣品量與產(chǎn)生離子量的正相關(guān)，一般情況下也可以進(jìn)一步近似成線性相關(guān)。傳輸離子時(shí)，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)可以認(rèn)為傳輸效率與被傳輸離子的量無(wú)關(guān)；（嚴(yán)格地說(shuō)，被傳輸?shù)碾x子太多時(shí)，相同電荷的互相排斥會(huì)造成離子束的“體積”變大，導(dǎo)致傳輸效率下降。這種影響在空間有限的離子阱中表現(xiàn)得更加明顯，因此在離子阱質(zhì)譜中一個(gè)重要的技術(shù)就是適當(dāng)控制進(jìn)入儀器的離子數(shù)量，使其既不太少也不太多。