HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
現(xiàn)貨供應(yīng) 沖擊電壓試驗(yàn)裝置 高壓試驗(yàn)變壓器 三倍頻發(fā)生器產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

原因是因?yàn)槿绻涣餍盘?hào)測(cè)量數(shù)據(jù)的間隔如果與信號(hào)周期不同步的話，相當(dāng)于測(cè)試的數(shù)據(jù)是非整周期，那么計(jì)算的結(jié)果也將不準(zhǔn)確。功率儀檢測(cè)和計(jì)算信號(hào)的周期是同步源來(lái)決定的，所以選擇準(zhǔn)確的同步源對(duì)測(cè)試結(jié)果非常關(guān)鍵。同步源選擇的原則是盡可能的選擇接近正弦波的信號(hào)，比如電網(wǎng)工頻電我們一般選擇電壓為同步源，又如電機(jī)驅(qū)動(dòng)輸出的PWM信號(hào)，我們可以選擇電流做同步源。PLL源的選擇除了同步源信號(hào)對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)有很大影響以外，我們?cè)谧鲋C波設(shè)置時(shí)，還有一個(gè)非常關(guān)鍵的源——PLL源。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

概述開(kāi)關(guān)系統(tǒng)是任何的測(cè)試系統(tǒng)中的關(guān)鍵的部分，它們?cè)试S客戶通過(guò)不用的方式來(lái)連接測(cè)試儀器和被測(cè)件，從而確保了在測(cè)試的過(guò)程中被測(cè)件的不同的部分可以連接到測(cè)試儀器中，從而減少了需要用來(lái)測(cè)試的儀器設(shè)備。很多用戶可能會(huì)想到開(kāi)關(guān)系統(tǒng)作為系統(tǒng)中的關(guān)鍵的部分，會(huì)由于原因而損壞，而不是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)系統(tǒng)本身不可靠。因?yàn)殚_(kāi)關(guān)系統(tǒng)所處的位置是非常容易受損的，所以，意外的發(fā)生的可能性就更大了。開(kāi)關(guān)系統(tǒng)是基于繼電器開(kāi)關(guān)的，是屬于機(jī)械裝置，所以是有一定的使用壽命的，但是高性能的繼電器的使用壽命是很長(zhǎng)的。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

蘭色段開(kāi)始變彎曲，斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了，這就是“飽和”。實(shí)際上，飽和是一個(gè)漸變的過(guò)程，蘭色段也可以認(rèn)為是初始進(jìn)入飽和的區(qū)段。在實(shí)際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與Ic=50MA的水平線相交，交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的Ib值就是臨界飽和的Ib值。圖中可見(jiàn)該值約為0.25mA。由圖可見(jiàn)，根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。