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HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
使用方法 沖擊電流發(fā)生器 超低頻發(fā)生器 三倍頻電源發(fā)生器產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
示波器的是連接被測(cè)電路與示波器輸入端的電子部件,它對(duì)示波器測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性至關(guān)重要,選擇如果不合適,再先進(jìn)的示波器也發(fā)揮不出作用。簡(jiǎn)單的是連接被測(cè)電路與電子示波器輸入端的一根導(dǎo)線。復(fù)雜的則由阻容元件和有源器件組成,于是種類就多了,有源、無(wú)源、差分、電流……令人眼花繚亂。本文就來(lái)理一理,看看不同的究竟該如何使用。1無(wú)源1:1無(wú)源的等效電路特點(diǎn):它需要通過線和示波器連接,示波器的輸入阻抗一般設(shè)為1MΩ。
沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波(full)或截?cái)啵╟hopped) 的閃電突波(L.I)
一個(gè)由意大利、菲律賓人員組成的研究小組一直在使用FLIR的紅外熱像儀來(lái)研究位于菲律賓的令人驚嘆的普林塞薩港地下河洞穴系統(tǒng)中的蝙蝠的行為。研究人員希望這項(xiàng)技術(shù)能夠讓他們更深入地了解蝙蝠群的規(guī)模和特性,而且掌握了這項(xiàng)技術(shù)也將有助于他們?cè)谖磥?lái)多年保護(hù)這些物種。普林塞薩港地下河位于巴拉望島中西部海岸菲律賓群島的西南部,是世界上長(zhǎng)的地下河。該地區(qū)包括世界上令人印象深刻的洞穴系統(tǒng)之一,該洞穴系統(tǒng)已被聯(lián)合國(guó)教科文組織列為世界遺產(chǎn)。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作,手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程,真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。
充電控制功能
系統(tǒng)采用恒流充電。
根據(jù)試驗(yàn)要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間,能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí),根據(jù)設(shè)定值,自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上,延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。
動(dòng)作控制
本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。
手動(dòng)/自動(dòng)控制。
2 觸發(fā)控制
系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)
端接測(cè)試點(diǎn)長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)測(cè)異常ZDS4的時(shí)序軟件具備長(zhǎng)時(shí)間統(tǒng)計(jì)功能,下班后設(shè)置好示波器,對(duì)數(shù)據(jù)采集儀的SPI總線時(shí)序連續(xù)監(jiān)測(cè)一個(gè)晚上,天上班的時(shí)候,導(dǎo)出監(jiān)測(cè)結(jié)果,如所示,一個(gè)晚上總共進(jìn)行了72185次測(cè)量,其中有1347次是測(cè)量失敗的,導(dǎo)致異常的原因是SPI的數(shù)據(jù)建立時(shí)間不滿足后級(jí)芯片的時(shí)序要求。示波器自動(dòng)保存了這1347份失敗的測(cè)試報(bào)告,打開第1345份測(cè)試報(bào)告,如所示,顯示了當(dāng)前建立時(shí)間為3.75ns(包含時(shí)序違規(guī)處截圖),不滿足后級(jí)芯片4ns建立時(shí)間的要求,而且歷史出現(xiàn)差的時(shí)序是3.5ns,時(shí)序是8.5ns,問題得以。