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HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
使用方法 沖擊電流發(fā)生器 電纜耐壓試驗(yàn)裝置 多倍頻發(fā)生器產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
但為了滿足低電壓作業(yè)的市場(chǎng)要求,有愈來愈電子產(chǎn)品廠商紛紛將產(chǎn)品的工作電壓調(diào)低,而長時(shí)間運(yùn)作的供電系統(tǒng),也必須順應(yīng)這個(gè)潮流。許多這方面的供電系統(tǒng),已經(jīng)采用3.3V的低電壓供應(yīng),相信在不久的將來,這類低壓供電系統(tǒng)也會(huì)越趨普及,甚至還有可能將供電電壓降至2.5V或以下。不過,由于整個(gè)系統(tǒng)所需的供電量持續(xù)上升,使得負(fù)載電流很容易就會(huì)產(chǎn)生不跌反升的現(xiàn)象。加上低壓降穩(wěn)壓器的效率極低,所產(chǎn)生的負(fù)載電流越高,功率消耗也就越大,使得低壓降穩(wěn)壓器在市場(chǎng)中越來越不受到歡迎。
沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波(full)或截?cái)啵╟hopped) 的閃電突波(L.I)
伏安法測(cè)量地阻有明顯的不足之處,試驗(yàn)時(shí),接地棒距離地極為20~50m,而輔助接地距離接地點(diǎn)40~100m。另外,受外界干擾影響,在強(qiáng)電壓區(qū)域內(nèi)有時(shí)無法測(cè)量。測(cè)量儀檢測(cè)法。單鉗口接地電阻測(cè)試儀是當(dāng)前較為熱門的一種地阻測(cè)試儀。由于儀器體積小巧,操作又十分簡(jiǎn)便,不失為檢測(cè)接地裝置好壞的儀器。該儀器適用于輸出電線桿塔、微波塔、避雷針等接地裝置的接地電阻測(cè)量。單鉗口接地電阻測(cè)試儀在測(cè)試時(shí)雖然使用一定頻率的信號(hào)以排除干擾,但在被測(cè)線纜上有很大電流存在的情況下,測(cè)量也會(huì)受到干擾,導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)確,且無法測(cè)量土壤電阻率。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作,手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程,真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。
充電控制功能
系統(tǒng)采用恒流充電。
根據(jù)試驗(yàn)要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間,能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí),根據(jù)設(shè)定值,自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上,延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。
動(dòng)作控制
本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。
手動(dòng)/自動(dòng)控制。
2 觸發(fā)控制
系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)
根據(jù)上圖顯示,固晶層缺陷會(huì)造成的熱阻增大,影響散熱性能,具體的影響程度與缺陷的大小有關(guān)。測(cè)量結(jié)殼熱阻:這兩次測(cè)試的分別:次測(cè)量,器件直接接觸到基板熱沉上;次測(cè)量,器件和基板熱沉中間夾著導(dǎo)熱雙面膠。由于兩次散熱路徑的改變僅僅發(fā)生在器件封裝殼之外,因此結(jié)構(gòu)函數(shù)上兩次測(cè)量的分界處就代表了器件的殼。如下圖所示的曲線變化,可得出器件的熱阻。結(jié)構(gòu)無損檢測(cè):同批次產(chǎn)品,取固晶層完好、邊緣缺陷以及中間缺陷的樣品測(cè)試。