HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
定制定做 沖擊電壓測試系統(tǒng) 油浸式試驗變壓器 超低頻耐壓試驗裝置產(chǎn)品簡介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗中。

半導(dǎo)體材料研究和器件測試通常要測量樣本的電阻率和霍爾電壓。半導(dǎo)體材料的電阻率主要取決于體摻雜，在器件中，電阻率會影響電容、串聯(lián)電阻和閾值電壓?；魻栯妷簻y量用來推導(dǎo)半導(dǎo)體類型(n還是p)、自由載流子密度和遷移率。為確定半導(dǎo)體范德堡法電阻率和霍爾電壓，進行電氣測量時需要一個電流源和一個電壓表。為自動進行測量，一般會使用一個可編程開關(guān)，把電流源和電壓表切換到樣本的所有側(cè)。A-SCS參數(shù)儀擁有4個源測量單元(SMUs)和4個前置放大器(用于高電阻測量)，可以自動進行這些測量，而不需可編程開關(guān)。

沖擊測試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗。此種測試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

分布式光纖溫度傳感系統(tǒng)是一種用于實時測量空間溫度場分布的傳感系統(tǒng)，實質(zhì)上是分布光纖拉曼(Raman)光子傳感器(DOFRPS)系統(tǒng)，它是近年來發(fā)展起來的一種用于實時測量空間溫度場的光纖傳感系統(tǒng)。本文擬在簡要闡述分布式光纖監(jiān)測技術(shù)和分布式光纖溫度監(jiān)測技術(shù)及其校準(zhǔn)原理的基礎(chǔ)上，對分布式光纖傳感溫度測試系統(tǒng)性能標(biāo)定方法進行介紹，為該系統(tǒng)在工程結(jié)構(gòu)監(jiān)測中的應(yīng)用提供借鑒。原理介紹1.分布式光纖監(jiān)測技術(shù)光纖光時域反射(OTDR)原理當(dāng)激光脈沖在光纖中傳輸時，由于光纖中存在折射率的微觀不均勻性，會產(chǎn)生瑞利散射，在時域里，激光脈沖在光纖中所走過的路程為2L，可表示為2L=V×t式中:V——光在光纖中傳播的速度，可表示為V=cn，其中c為真空中的光速，n為光纖的折射率；t——入射光經(jīng)背向散射返回到光纖入射端所需的時間。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控制方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動作控制

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機臺上，由WATRecipe自動控制測試位置和內(nèi)容，測完某條TestKey后，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。