HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
帶通訊 雷沖擊電壓發(fā)生器 直流高壓發(fā)生器 三倍頻試驗(yàn)變壓器產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

后說(shuō)到的頻譜儀通常用在射頻領(lǐng)域，來(lái)觀察和被測(cè)信號(hào)的頻域特性，而我們常用其配合近場(chǎng)來(lái)掃描電磁干擾的功率峰值以及找到其對(duì)應(yīng)的頻點(diǎn)，初步判定輻射源屬性。眼看上去這三種儀器用途各不相同，但其實(shí)都可以用來(lái)測(cè)試晶體振蕩電路的頻率。如果使用示波器或者頻率計(jì)，配合無(wú)源電壓點(diǎn)測(cè)芯片的時(shí)鐘輸入引腳，就可以測(cè)量到頻率，如下是各部分的電路結(jié)構(gòu)：其中：CC2是晶體的負(fù)載電容，影響到頻率、負(fù)性阻抗等電路參數(shù)RC3是無(wú)源電壓的電路參數(shù)，R3是9Mohm，C3是幾個(gè)pF不等R是示波器或者頻率計(jì)輸入通道的等效阻抗和電容，R4是1Mohm，是幾十pF不等如果使用頻譜儀，配合近場(chǎng)靠近晶體封裝外殼就可以探測(cè)到輻射功率峰值的頻率，這個(gè)頻率也是晶體電路的振蕩頻率。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

性能配置：每個(gè)行業(yè)對(duì)于色差精度的要不一樣的，也就是△Eab，若是△Eab在0-1之間，那么必須選擇精度較高儀器;這些一般都是橡塑、涂料和噴漆行業(yè)等;如不需要精度比較高的也可以選擇一般的色差儀就可以。測(cè)試孔徑：一般色差儀的測(cè)試孔徑是4mm或者8mm，如果自身產(chǎn)品是弧面或者尺寸非常小，那么需要考慮測(cè)試孔徑問(wèn)題，當(dāng)然也可選擇定制。計(jì)量認(rèn)證：色差儀屬于計(jì)量類(lèi)儀器，要了解該產(chǎn)品是否可以達(dá)到計(jì)量要求，否則出現(xiàn)爭(zhēng)論時(shí)，數(shù)據(jù)是沒(méi)法參考的。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

ENOB=（SINAD-1.76dB）/6.2，其中1.76為理想ADC的量化噪聲，6.2為將log2轉(zhuǎn)化為log1的系數(shù)比。很明顯，SINAD越大，ENOB越大，而提升SINAD的方法就是重點(diǎn)關(guān)注與測(cè)試精度有關(guān)的電路。在數(shù)字示波器的架構(gòu)中，與測(cè)試精度有關(guān)的電路有：前端采集電路、ADC采樣電路。被測(cè)信號(hào)經(jīng)前端采集電路進(jìn)行調(diào)理后傳輸給ADC進(jìn)行采樣。其中前端采集電路及ADC采樣電路對(duì)ENOB有較大影響，實(shí)際工作時(shí)，偏置誤差，非線性誤差，增益誤差，隨機(jī)噪聲，甚至還有ADC交織引起的噪聲都會(huì)增大ENOB。ENOB說(shuō)明了什么ENOB是衡量ADC性能的標(biāo)尺，若示波器ENOB指標(biāo)好，那么偏置誤差、增益誤差、非線性度等都較小，同時(shí)帶寬噪聲也較低。如果主要被測(cè)信號(hào)是正弦波信號(hào)，那么ENOB就需要重點(diǎn)關(guān)注。通常示波器都由前端電路衰減器、放大器等信號(hào)調(diào)理電路、ADC采樣電路組成，在設(shè)計(jì)的時(shí)候，會(huì)在前端采用射頻技術(shù)，頻率響應(yīng)方式，實(shí)現(xiàn)的頻響平坦度，以便ADC采樣時(shí)失真，增大ENOB指標(biāo)。如何判斷ENOB的大小3.11.底噪示波器在不同垂直檔位及偏置下的底噪大小是評(píng)估示波器測(cè)量質(zhì)量的一個(gè)重要依據(jù)，通過(guò)觀測(cè)底噪大小，可以判斷前端采集電路和ADC采樣電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣，因?yàn)槭静ㄆ鞯牡自霑?huì)增加額外的抖動(dòng)并較小設(shè)計(jì)裕量，對(duì)測(cè)試結(jié)果造成較大的影響。