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HN2016智能sf6微水測試儀冷鏡式露點(diǎn)儀 氣體抽真空充放裝置 sf6冷鏡法露點(diǎn)儀 5年保修
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露點(diǎn) |
測量范圍 |
－80 ℃～+20 ℃ |
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測量精度 |
±1℃（－80℃～＋20℃） |
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測量時(shí)間 （＋20℃） |
<3分鐘。 |
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環(huán)境溫度 |
－40℃～＋60℃ |
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給各分管路打壓，檢測哪一路地暖盤管可能漏水自從FLIRONRPRO紅外熱像儀應(yīng)運(yùn)而生，一切都迎刃而解。整個(gè)檢測過程和要點(diǎn)主要概括為下面幾步：步，通過對地暖各分路進(jìn)行打壓，判斷存在漏水的管道。在現(xiàn)場我們發(fā)現(xiàn)，路管道施加5公斤壓力后，在3分鐘內(nèi)只剩下1公斤壓力，屬于明顯的漏水可疑對象，而其他二路并無失壓情況。據(jù)此，我們初步判斷路地暖盤管存在漏水情況。得出結(jié)果后，接下來就需要使用FLIRONEPRO紅外熱像儀查找具體漏水點(diǎn)。
1、連接SF6設(shè)備
將測量管道上螺紋端與開關(guān)接頭連接好，用扳手?jǐn)Q緊，關(guān)閉測量管道上另一端的針型閥；
再把測試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口；
將排氣管道連接到出氣口。
后將開關(guān)接頭與SF6電氣設(shè)備測量接口連接好，用扳手?jǐn)Q緊；
2、檢查電量
本儀器優(yōu)先使用交流電。
使用直流電時(shí)，請查看右上角顯示的電池電量，如果電量低于約20％，請關(guān)機(jī)充電后繼續(xù)使用。
3、開始測量
打開儀測量管道上的針型閥，然后用面板上的流量閥調(diào)節(jié)流量，把流量調(diào)節(jié)到0.5L/M左右，開始測量SF6露點(diǎn)。
設(shè)備測量時(shí)間需要5～10分鐘，其后每臺設(shè)備需要3～5分鐘。
4、存儲數(shù)據(jù)
設(shè)備測量完成后，可以將數(shù)據(jù)保存在儀器中，按“確定”鍵調(diào)出操作菜單，具體操作方式見下節(jié)內(nèi)容。傳感器對某一物理量的準(zhǔn)確程度取決于傳感器的性能指標(biāo)。為了確定傳感器的測量范圍、準(zhǔn)確性，必須對傳感器的性能指標(biāo)進(jìn)行測試。對新研制的傳感器，必須進(jìn)行的技術(shù)性能的測試和校準(zhǔn)，用測試和校準(zhǔn)的數(shù)據(jù)確定其測試范圍、準(zhǔn)確程度。對于標(biāo)準(zhǔn)型的傳感器，用校準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行量值傳遞。這些測試數(shù)據(jù)，既是衡量傳感器好壞的依據(jù)，也是改進(jìn)傳感器設(shè)計(jì)和工藝的依據(jù)。傳感器經(jīng)過一段時(shí)間儲存或使用后，性能指標(biāo)是會發(fā)生變化的，因此對傳感器的性能指標(biāo)要定期進(jìn)行復(fù)測。
5、測量其他設(shè)備
一臺設(shè)備測量后，關(guān)閉測量管道上的針型閥和微水儀上的調(diào)節(jié)閥。將轉(zhuǎn)接頭從SF6電氣設(shè)備上取下。如果需要繼續(xù)測量其他設(shè)備，按照上面步驟繼續(xù)測量下一臺設(shè)備。
6、測量結(jié)束
所有設(shè)備測量結(jié)束后，關(guān)閉儀器電源。
一、 菜單操作
在測量狀態(tài)，通過確定鍵可以進(jìn)入功能菜單，如圖1。
本系統(tǒng)采用基于Raman后向散射的分布式光纖溫度傳感原理，采用雙通道雙波長比較方法，即分別采集Anti-Stokes光和Stokes光，利用兩者強(qiáng)度的比值解調(diào)溫度信號。由于Anti-Stokes光對溫度更靈敏，因此Anti-Stokes光作為信號通道，Stokes光作為比較通道，則兩者之間的強(qiáng)度比為式中，λs，λas分別為Stokes和Anti-Stokes光波長;h為普朗克常數(shù);c為真空中的光速;k是玻耳茲曼常量;△γ為偏移波數(shù)：T為溫度。
1、保存數(shù)據(jù)
在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單，按“確定”鍵，進(jìn)入保存數(shù)據(jù)頁面，保存數(shù)據(jù)時(shí)，可以根據(jù)設(shè)備進(jìn)行編號。
設(shè)備編號多為六位，可以通過“上”、“下”鍵增加數(shù)值大小，“左”、“右”鍵調(diào)整數(shù)據(jù)位數(shù)。
輸入編號后，按“確定”鍵，完成保存數(shù)據(jù)。按“返回”鍵可以返回上一頁，此時(shí)不保存數(shù)據(jù)。
2、查看記錄
在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單，按“確定”鍵，進(jìn)入查看記錄頁面。
顯示時(shí)從后一個(gè)被保存的數(shù)據(jù)開始。
可以按“上”、“下”鍵翻看數(shù)據(jù)。有必要采用一些其他方法來提高傳導(dǎo)EMI的性能。本文主要討論的是引入輸入濾波器來濾除噪聲，或增加罩來鎖住噪聲。EMI濾波器示意簡圖是一個(gè)簡化的EMI濾波器，包括共模（CM）濾波器和差模（DM）濾波器。通常，DM濾波器主要用于濾除小于30MHz的噪聲（DM噪聲），CM濾波器主要用于濾除30MHz至100MHz的噪聲（CM噪聲）。但其實(shí)這兩個(gè)濾波器對于整個(gè)頻段的EMI噪聲都有一定的作用。顯示了一個(gè)不帶濾波器的輸入引線噪聲，包括正向噪聲和負(fù)向噪聲，并標(biāo)注了這些噪聲的峰值水平和平均水平。
3、刪除記錄
在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單，按“確定”鍵，可刪除所有數(shù)據(jù)。
4、修改時(shí)間
在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇修改時(shí)間，按“確定”鍵，進(jìn)入修改時(shí)間頁面。
通過“上”、“下”鍵可以增加時(shí)間數(shù)值，“左”、“右”鍵可以減小時(shí)間數(shù)值。
輸入小時(shí)、分鐘、秒后，按“確定”鍵可以轉(zhuǎn)到下一個(gè)修改域內(nèi)。
半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機(jī)臺上，由WATRecipe自動控制測試位置和內(nèi)容，測完某條TestKey后，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。