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HN2016智能sf6微水測試儀sf6微量水分測試儀 SF6分解物測試儀 sf6氣體檢漏儀 30年經驗
露點 |
測量范圍 |
-80 ℃~+20 ℃ |
測量精度 |
±1℃(-80℃~+20℃) |
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測量時間 (+20℃) |
<3分鐘。 |
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環(huán)境溫度 |
-40℃~+60℃ |
同時也具有強大的諧波功能,也支持量測到5次的電壓和電流諧波。IT76系列高性能可編程交流電源采用先進數字信號處理技術,頻率可達1-5Hz,內置的功率表及大屏幕示波器功能。功率高達54kVA,支持主從并聯(lián),可提供大容量的單相或三相交流輸出。IT76系列內建任意波型產生器,可模擬諧波及任意波形輸出,同時具有強大的交流測量及功能,可廣泛應用于新能源、家電產品、電力電子、電子設備、**與IEC標準測試的開發(fā)和運用等多個領域。1、連接SF6設備
將測量管道上螺紋端與開關接頭連接好,用扳手擰緊,關閉測量管道上另一端的針型閥;
再把測試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口;
將排氣管道連接到出氣口。
后將開關接頭與SF6電氣設備測量接口連接好,用扳手擰緊;
2、檢查電量
本儀器優(yōu)先使用交流電。
使用直流電時,請查看右上角顯示的電池電量,如果電量低于約20%,請關機充電后繼續(xù)使用。
3、開始測量
打開儀測量管道上的針型閥,然后用面板上的流量閥調節(jié)流量,把流量調節(jié)到0.5L/M左右,開始測量SF6露點。
設備測量時間需要5~10分鐘,其后每臺設備需要3~5分鐘。
4、存儲數據
設備測量完成后,可以將數據保存在儀器中,按“確定”鍵調出操作菜單,具體操作方式見下節(jié)內容。而且,雷達對無人駕駛汽車的成功而言至關重要。它們輔助先進駕駛輔助系統(tǒng)中的攝像頭、激光雷達(LiDAR)和超聲波傳感器檢測周圍的物體,并在車輛周圍生成合成視圖。雷達在惡劣天氣條件下尤為有用,即使在霧、雪、雨和黑暗的環(huán)境中也能工作,不會影響到攝像頭和激光雷達傳感器。處理器接收傳感器輸入,然后執(zhí)行人工智能算法以做出所有駕駛決策。毫米波傳感器還能做什么?例子之一就是油箱中的液位傳感器。許多工業(yè)、過程控制和公共服務應用都需要用到某種形式的液位測量。
5、測量其他設備
一臺設備測量后,關閉測量管道上的針型閥和微水儀上的調節(jié)閥。將轉接頭從SF6電氣設備上取下。如果需要繼續(xù)測量其他設備,按照上面步驟繼續(xù)測量下一臺設備。
6、測量結束
所有設備測量結束后,關閉儀器電源。
一、 菜單操作
在測量狀態(tài),通過確定鍵可以進入功能菜單,如圖1。
但設備較為笨重,攜帶、安裝不方便、且測量易受到環(huán)境因素的影響。此外,鋼弦式測量儀的調試時間較長,準備工作需要花較長時間,不適合做快速測量;另外鋼弦式測試儀重量、尺寸較大,安裝后易對構件的工作狀態(tài)和應力分布造成一定的影響,所以不適合測量較細的軸。光柵法軸功率測試方法光柵式軸功率測試由兩個光電碼盤、兩個光電傳感器、控制器組成,光電碼盤由兩個半圓環(huán)拼接而成,電傳感器安裝在固定的支架上,保證兩個光電傳感器與被測軸的軸心線在同一個平面上。1、保存數據
在測量狀態(tài),通過按“確定”鍵可以進入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單,按“確定”鍵,進入保存數據頁面,保存數據時,可以根據設備進行編號。
設備編號多為六位,可以通過“上”、“下”鍵增加數值大小,“左”、“右”鍵調整數據位數。
輸入編號后,按“確定”鍵,完成保存數據。按“返回”鍵可以返回上一頁,此時不保存數據。
2、查看記錄
在測量狀態(tài),通過按“確定”鍵可以進入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單,按“確定”鍵,進入查看記錄頁面。
顯示時從后一個被保存的數據開始。
可以按“上”、“下”鍵翻看數據。減小地線導體電阻,從電阻與橫截面的關系公式中我們知道,要增加地線導通的橫截面積。但是在高頻環(huán)境中,存在一種高頻電流的趨膚效應(也叫集膚效應),高頻電流會在導體表面通過,所以單純增大地線導體的橫截面積往往作用不大??梢钥紤]在導體表面鍍銀,因為銀的導電性較其他導電物質,故而會降低導體電阻。減小地線的感抗,的方法就是增大地線的面積。在實際應用時,地線短,地面積大,抗干擾的效果就會更好。
3、刪除記錄
在測量狀態(tài),通過按“確定”鍵可以進入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單,按“確定”鍵,可刪除所有數據。
4、修改時間
在測量狀態(tài),通過按“確定”鍵可以進入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇修改時間,按“確定”鍵,進入修改時間頁面。
通過“上”、“下”鍵可以增加時間數值,“左”、“右”鍵可以減小時間數值。
輸入小時、分鐘、秒后,按“確定”鍵可以轉到下一個修改域內。
LED的芯片其實就是個半導體,有如以下的IV曲線。反向電壓如果加的過高,LED會因被擊穿而損壞,所以很多時候我們需要去測量反向電壓。若只是單純要測量芯片的特性,基本上使用電源和萬用表即可。主要可測試的項目包括正向電壓、擊穿電壓、漏電流…測試LED的整體IV曲線特性幾個參數正向電壓:Vf擊穿電壓:Vr漏電流:IL這些項目的測試其實并不算困難,但必須要選對合適的測量儀器。若是選擇了不適合的測量儀器,測試的值誤差則會非常大。