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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:地鐵專用直流開關試驗裝置HNDL 直流大電流恒流源 容量大 5年保修

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗,電力系統(tǒng)技術人員檢驗電流互感器保護裝置及二次回路電流試驗。也可用于開關,電纜、直流電流傳感器和其它電器設備作電流負載試驗及溫升試驗。地鐵專用直流開關試驗裝置HNDL 直流大電流恒流源 容量大 5年保修
詳情介紹:

HNDL20KA型直流開關試驗裝置 地鐵直流開關試驗裝置HNDL 直流大電流恒流源 容量大 5年保修
地鐵直流開關試驗裝置HNDL 直流大電流恒流源 容量大 5年保修利用計算機控制技術和現(xiàn)代電力電子技術研究設計的一種大電流低電壓直生裝置,主要用于直流開關的檢測試驗,如直流開關大電流脫扣定值的校驗、分流器及隔離放大器特性測試、開關動作時間測試等,并自動記錄測試的有關數(shù)據(jù)。上升和下降時間決定脈沖行為,因此也決定著雕刻速度?;旌蠚怏w中的氮會降低脈沖頻率至1kHz左右。這對于過去的很多應用已經(jīng)足夠,但對于未來的需求來說是不夠的。典型的激光功率和時間關系圖顯示出±5~1%的偏差值。這不適合控制3D雕刻材料。被測試的激光器的激光指向穩(wěn)定性出奇的好,這對于聲光調(diào)制器的使用(對入射角非常敏感)將起著直接的影響。在接近聲光調(diào)制器的功率極限時,鍺晶體對的激光場模式非常敏感。

地鐵直流開關試驗裝置HNDL 直流大電流恒流源 容量大 5年保修

應用:

    HNDL20KA型直流開關試驗裝置是專門設計用于對地鐵及輕軌用DC1500V、DC750V直流開關及其隔離放大器、保護裝置進行功能試驗的設備,通過模擬輸出故障電流或過負荷電流,測試直流開關的大電流脫扣特性或過熱跳閘特性及延時特性,測試隔離放大器特性和保護裝置特性。不過當我們在開始敲敲打打動手之前,如果能夠簡單預覽一下室內(nèi)的格局和布置,那是不是就顯得更穩(wěn)妥了呢?現(xiàn)在一款智能測量儀就可以通過增強現(xiàn)實的方式幫助我們實現(xiàn)這個目的。智能測量儀可以讓我們將現(xiàn)實世界中拍攝的照片、物體之間測量的距離以及尺寸直接變成可視化的設計圖,并且能夠在智能App中進行編輯和預覽。然后App可以將我們所有的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為數(shù)據(jù)點,我們可以根據(jù)整體的輪廓進行重新規(guī)劃和布置,防止出現(xiàn)計算錯誤、規(guī)劃和計算失誤的問題。

特點:

智能化及圖形顯示:HNDL20KA型直流開關試驗裝置由嵌入式微機系統(tǒng)控制,輸出電流的波形、幅值可通過人機界面準確控制。輸出電流在顯示器上以圖形方式顯示,可方便計算、顯示直流開關的動作時間,并能存儲、打印測量結(jié)果。

多種輸出波形選擇:理論上輸出波形可有任意多種。本試驗裝置標準波形配置為常用的指數(shù)曲線,該曲線的幅值、時間常數(shù)可設定。

輸出準確:按預先設定的波形參數(shù)輸出,綜合誤差只有2%。對于速度的渴求始終在增長,傳輸速率每隔幾年就會加倍。這一趨勢在諸如計算、SAS和SATA存儲方面的PCIe以及云計算中的千兆以太網(wǎng)等很多現(xiàn)代通信系統(tǒng)中很普遍。信息對通過傳輸介質(zhì)傳送數(shù)據(jù)提出了巨大挑戰(zhàn)。目前的傳輸介質(zhì)仍然依賴于銅線,數(shù)據(jù)鏈路中的信號速率可以達到大于25Gbps,并且端口吞吐量可以大于100Gbps。這些串行數(shù)據(jù)傳輸設計使用差分信號的方式,通過被稱為差分對的一對銅線來傳送數(shù)據(jù)。A線路和B線路內(nèi)的信號是等振幅、反相位高速脈沖。

測量及計時精度高:輸出電流、開關接點動作狀態(tài)通過測量回路測量并以圖形方式在顯示器上顯示,準確計算有關參數(shù),電流測量精度為2%,時間測量精度為1mS

保護電路完善:HNDL20KA型直流開關試驗裝置有完善的保護電路,如過流速斷保護、過流超時保護等。

接線方便:HNDL20KA型直流開關試驗裝置通過隨裝置提供的電纜與被試開關主觸頭端子相連,注意不得隨意采用其它電纜。地鐵直流開關試驗裝置HNDL 直流大電流恒流源 容量大 5年保修

模塊化設計:HNDL20KA型直流開關試驗裝置采用模塊化設計,特別是2號柜的降壓整流輸出單元,每一個模塊的輸出電流為5000A,方便維護和使用。根據(jù)用戶需要,可定制10000A、15000A、20000A、30000A、40000A等規(guī)格的直流開關試驗裝置(HNDL10KA HNDL20KA 30KA、 HNDL40KA)另外,晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲,其產(chǎn)生機理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近,也與晶體管的摻雜程度有關。半導體器件產(chǎn)生的散粒噪聲由于半導體PN結(jié)兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變,從而顯現(xiàn)出電容效應。當外加正向電壓升高時,N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運動,相當于對電容充電。當正向電壓減小時,它又使電子和空穴遠離耗盡區(qū),相當于電容放電。當外加反向電壓時,耗盡區(qū)的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)時,這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電生微小波動,從而產(chǎn)生電流噪聲。地鐵直流開關試驗裝置HNDL 直流大電流恒流源 容量大 5年保修

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