HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置 地鐵直流大電流電源HNDL 三相大電流發(fā)生器 容量大 30年經(jīng)驗
利用計算機控制技術(shù)和現(xiàn)代電力電子技術(shù)研究設(shè)計的一種大電流低電壓直生裝置，主要用于直流開關(guān)的檢測試驗，如直流開關(guān)大電流脫扣定值的校驗、分流器及隔離放大器特性測試、開關(guān)動作時間測試等，并自動記錄測試的有關(guān)數(shù)據(jù)。MSOP-8封裝線性穩(wěn)壓器的溫度上升使得結(jié)溫高于125℃的標(biāo)準(zhǔn)集成電路(IC)結(jié)溫，而根據(jù)45°C/WR?JA，LMZM2361的結(jié)溫為9°C。即使將R?JA乘以系數(shù)5，得到的Tj值仍然低于該結(jié)溫。從這個例子可以看出，很明顯從熱能角度來看，線性穩(wěn)壓器并非可行的方案。采用開關(guān)方案進(jìn)行權(quán)衡(即使是采用LMZM2361等模塊)意味著必須要考慮輸出紋波。如所示，標(biāo)準(zhǔn)LMZM2361設(shè)計3.3V輸時的輸出紋波峰峰值約為3mV。

應(yīng)用：

    HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置是專門設(shè)計用于對地鐵及輕軌用DC1500V、DC750V直流開關(guān)及其隔離放大器、保護(hù)裝置進(jìn)行功能試驗的設(shè)備，通過模擬輸出故障電流或過負(fù)荷電流，測試直流開關(guān)的大電流脫扣特性或過熱跳閘特性及延時特性，測試隔離放大器特性和保護(hù)裝置特性。上述零部件在生產(chǎn)制造過程中，必須經(jīng)過一系列的渦流探傷儀無損檢測。常用的汽車零部件無損檢測有射線檢測、超聲檢測、電磁渦流檢測、磁粉檢測和滲透檢測，亦稱五大探傷方法。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，常用的這五大無損檢測方法本身也在不斷地發(fā)展，如X射線實時成像、自動磁粉探傷判傷系統(tǒng)、渦流探傷儀漏磁自動探傷系統(tǒng)、新型滲透材料的問世等。除此之外，無損檢測還增添了新的方法，如聲發(fā)射、微波、紅外、全息照相、光彈顯示等被稱為新五大檢測方法。

特點：

智能化及圖形顯示：HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置由嵌入式微機系統(tǒng)控制，輸出電流的波形、幅值可通過人機界面準(zhǔn)確控制。輸出電流在顯示器上以圖形方式顯示，可方便計算、顯示直流開關(guān)的動作時間，并能存儲、打印測量結(jié)果。

多種輸出波形選擇：理論上輸出波形可有任意多種。本試驗裝置標(biāo)準(zhǔn)波形配置為常用的指數(shù)曲線，該曲線的幅值、時間常數(shù)可設(shè)定。

輸出準(zhǔn)確：按預(yù)先設(shè)定的波形參數(shù)輸出，綜合誤差只有2%?；陔妼W(xué)法的熱瞬態(tài)測試技術(shù)1.測試方法：電學(xué)法尋找器件內(nèi)部具有溫度敏感特性的電學(xué)參數(shù)，通過測量該溫度敏感參數(shù)（TSP）的變化來得到結(jié)溫的變化。TSP的選擇：一般選取器件內(nèi)PN結(jié)的正向結(jié)電壓。測試技術(shù)：熱瞬態(tài)測試當(dāng)器件的功率發(fā)生變化時，器件的結(jié)溫會從一個熱穩(wěn)定狀態(tài)變到另一個穩(wěn)定狀態(tài)，T3Ster將會記錄結(jié)溫瞬態(tài)變化過程（包括升溫過程與降溫過程）。一次測試，既可以得到穩(wěn)態(tài)的結(jié)溫?zé)嶙钄?shù)據(jù)，也可以得到結(jié)溫隨著時間的瞬態(tài)變化曲線。

測量及計時精度高：輸出電流、開關(guān)接點動作狀態(tài)通過測量回路測量并以圖形方式在顯示器上顯示，準(zhǔn)確計算有關(guān)參數(shù)，電流測量精度為2%，時間測量精度為1mS

保護(hù)電路完善：HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置有完善的保護(hù)電路,如過流速斷保護(hù)、過流超時保護(hù)等。

接線方便：HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置通過隨裝置提供的電纜與被試開關(guān)主觸頭端子相連，注意不得隨意采用其它電纜。

模塊化設(shè)計：HNDL20KA型直流開關(guān)試驗裝置采用模塊化設(shè)計，特別是2號柜的降壓整流輸出單元，每一個模塊的輸出電流為5000A，方便維護(hù)和使用。根據(jù)用戶需要，可定制10000A、15000A、20000A、30000A、40000A等規(guī)格的直流開關(guān)試驗裝置（HNDL10KA 、HNDL20KA 30KA、 HNDL40KA）無校驗位，8位數(shù)據(jù)位，串口時序圖如所示為STM32串口外設(shè)檢測到起始位的條件，當(dāng)檢測到下降沿（3個高電平+1個低電平）并且采樣序列1和采樣序列2均為0時，STM32檢測到一個起始位。每個位采樣16次，采樣點的間隔時間為tbit/16，tbit為每個位的時間，通信波特率為115.2kbps，則tbit=1/115.2k=8.68us，則采樣點的間隔時間為8.68us/16=0.5425us。STM32串口外設(shè)檢測到起始位的條件下面以RSM485PCHT的門限電平為例進(jìn)行說明，當(dāng)AB差分電壓處于±200mV之內(nèi)時，模塊RXD引腳輸出狀態(tài)不確定。