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HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 三回路JP柜溫升試驗(yàn)裝置HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)
聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。磁翻板液位計(jì)那么此類(lèi)液位計(jì)能不能實(shí)現(xiàn)在線校準(zhǔn)呢?歸納起來(lái),需解決以下幾個(gè)問(wèn)題:液位計(jì)測(cè)量的介質(zhì)密度范圍往往較寬,一般為0.8~1.2g/cm3,密度對(duì)液位計(jì)測(cè)量誤差的影響如何進(jìn)行修正;磁翻板液位計(jì)儲(chǔ)液罐的安裝不可能是豎直的,那么如何選擇測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)器,怎么測(cè),將會(huì)顯得非常重要。現(xiàn)場(chǎng)儲(chǔ)罐就如同一個(gè)黑匣子,如何確定液位參照點(diǎn)進(jìn)行校準(zhǔn)是一個(gè)關(guān)鍵的問(wèn)題;本文以帶(4-20mA)電遠(yuǎn)傳信號(hào)的側(cè)裝式磁翻板液位計(jì)為例探討簡(jiǎn)單而有效的現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)方法,以期能夠達(dá)到在現(xiàn)場(chǎng)安裝條件下測(cè)量整個(gè)系統(tǒng)的液位誤差及其不確定度的目的,具有實(shí)際意義。
1.2 技術(shù)參數(shù)要求
恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)
輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波
輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)
輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)
工作時(shí)間:大電流輸出不少于24小時(shí)
輸出相數(shù):三相 多路
工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計(jì)算后,換成了一顆5A的MOS管,問(wèn)題解決。為什么用電流裕量更小的器件,卻能提高可靠性呢?工程師在設(shè)計(jì)的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量,卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì),案例我們放到后說(shuō),為了幫助理解,我們先引入一個(gè)概念:其中Tc為芯片的外殼溫度,PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率,Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度,目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃,Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻,Rcs表示外殼至散熱片的熱阻,Rsa表示散熱片到空氣的熱阻,一般功率器件用Rjc進(jìn)行計(jì)算即可。
1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)
序號(hào) |
名稱(chēng) |
數(shù)量 |
1 |
3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
2 |
3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
3 |
3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
4 |
3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |