HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗系統(tǒng) 三回路JP柜溫升試驗系統(tǒng)HNDL 母線槽溫升試驗設(shè)備 容量大 5年保修 

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗。溫升試驗裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗標準對開關(guān)柜進行試驗的要求。在實際應(yīng)用中測量的電阻電壓越低，熱電效應(yīng)就越顯著。所以這個電壓的影響取決于具體的應(yīng)用。用戶的硬件系統(tǒng)很少有能力能消除熱電動勢電壓，因為在用繼電器系統(tǒng)模擬電阻時就應(yīng)該考慮到這一點。基于繼電器的高精度程控電阻模塊具有熱電動勢的是40-260，40-261，40-262，40-263和40-265。40-297系列具有低的熱電動勢，因為它使用的設(shè)計方法可以盡量的減少熱電效應(yīng)，但是有更多的繼電器串聯(lián)。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC范圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負載被試開關(guān)柜及相關(guān)標準規(guī)定的試驗附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時間應(yīng)滿足工作時間要求）

輸出波形：標準正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時間：大電流輸出不少于24小時

輸出相數(shù)：三相  多路

為了從頻率角度說明概念，展示了一個帶有來自直接變頻架構(gòu)的兩個發(fā)送信號的示例。在這些示例中，射頻位于LO的。在直接變頻架構(gòu)中，鏡像頻率和三次諧波出現(xiàn)在LO的相對側(cè)，并顯示在LO頻率下方。當(dāng)將不同通道的LO頻率設(shè)置為相同的頻率時，雜散頻率也處于相同的頻率，如a所示。b所示為LO2的設(shè)置頻率高于LO1的情況。數(shù)字NCO同等地偏移，使RF信號實現(xiàn)相干增益。鏡像和三次諧波失真積處于不同的頻率，因此不相關(guān)。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶具體需求配置）

三回路JP柜溫升試驗系統(tǒng)HNDL 母線槽溫升試驗設(shè)備 容量大 5年保修如分子結(jié)構(gòu)與組成、立體規(guī)整性、結(jié)晶與去向、分子相互作用，以及表面和界面的結(jié)構(gòu)等。從拉曼峰的寬度可以表征高分子材料的立體化學(xué)純度。如無規(guī)立場試樣或頭-頭，頭-尾結(jié)構(gòu)混雜的樣品，拉曼峰是弱而寬，而高度有序樣品具有強而尖銳的拉曼峰。研究內(nèi)容包括：化學(xué)結(jié)構(gòu)和立構(gòu)性判斷、組分定量、動力學(xué)過程研究、高分子取向研究聚合物共混物的相容性以及分子相互作用研究、復(fù)合材料應(yīng)力松弛和應(yīng)變過程的監(jiān)測、聚合反應(yīng)過程和聚合物固化過程監(jiān)控。