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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 定制定做

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡(jiǎn)單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開(kāi)關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 定制定做
詳情介紹:

HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 定制定做 

三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 定制定做
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。注意屏幕上方的軌跡模式指示,黃色的T1[M、P]表示軌跡1處于保持;通過(guò)軌跡、[軌跡選擇?]、[軌跡2]、[刷新]軌跡2,并設(shè)置為連續(xù)刷新模式。注意屏幕上方的軌跡模式指示,T2標(biāo)記高亮為藍(lán)色,T2[W、P]表示軌跡2處于連續(xù)刷新模式,檢波方式為正峰值;緩慢改變輸入信號(hào)的頻率,使其以1kHz步進(jìn),在±5kHz變化,信號(hào)儀顯示如所示。使用保持觀測(cè)漂移信號(hào)跟蹤信號(hào)信號(hào)跟蹤功能對(duì)于漂移比較緩慢的信號(hào)是非常有用的,它可以將漂移信號(hào)一直處于顯示屏幕的中心位置。

三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 定制定做1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間:大電流輸出不少于24小時(shí)

輸出相數(shù):三相  多路

RaytekMMMT測(cè)溫儀巧妙避免火焰測(cè)溫過(guò)程中可能會(huì)產(chǎn)生的測(cè)量偏差,限度節(jié)省成本并提高生產(chǎn)效率。(金屬退火與淬火應(yīng)用)結(jié)構(gòu)鋼和金屬形狀被制造出來(lái)以后,金屬的特定部分需要進(jìn)行退火或回火處理。,工字鋼的兩端必須經(jīng)過(guò)退火處理以防止在施工現(xiàn)場(chǎng)一個(gè)工字鋼與另一個(gè)連接時(shí)發(fā)生損壞。另一個(gè)例子是摩托車的啟動(dòng)踏板,啟動(dòng)踏板的中心位置需要經(jīng)過(guò)回火處理,以承受當(dāng)有人試圖啟動(dòng)摩托車時(shí)產(chǎn)生的過(guò)矩。三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 定制定做


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號(hào)

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 定制定做電子負(fù)載,顧名思義,是用電子器件實(shí)現(xiàn)的“負(fù)載”功能。具體地說(shuō),電子負(fù)載是通過(guò)控制內(nèi)部功率器件MOSFET或晶體管的導(dǎo)通量,使功率管耗散功率,消耗電能的設(shè)備。電子負(fù)載類似于可以拉載電流的輸入設(shè)備,如同一個(gè)可編程的功率電阻。直流電子負(fù)載應(yīng)用領(lǐng)域直流電子負(fù)載通過(guò)模擬實(shí)物負(fù)載和負(fù)載波形,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電源供應(yīng)器規(guī)格特性的測(cè)試,也可以作為ATE或ATS系統(tǒng)的組成單元,在線對(duì)充電器、蓄電池等的壽命特性及功率電子元器件的參數(shù)特性進(jìn)行測(cè)試。三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL JP柜溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 定制定做


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