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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:JP柜溫升試驗(yàn)系統(tǒng)HNDL 全自動(dòng)溫升試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡(jiǎn)單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。JP柜溫升試驗(yàn)系統(tǒng)HNDL 全自動(dòng)溫升試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做
詳情介紹:

HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) JP柜溫升試驗(yàn)系統(tǒng)HNDL 全自動(dòng)溫升試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做 

JP柜溫升試驗(yàn)系統(tǒng)HNDL 全自動(dòng)溫升試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。很多客戶在選擇示波器的時(shí)候除了關(guān)注帶寬、采樣率和存儲(chǔ)深度外,更關(guān)心的就是示波器的死區(qū)時(shí)間,死區(qū)時(shí)間的長(zhǎng)短直接決定了捕獲異常信號(hào)的能力大小。示波器的死區(qū)時(shí)間具體是多少,怎么去計(jì)算呢,即將揭曉。采樣時(shí)間、死區(qū)時(shí)間和捕獲時(shí)間數(shù)字示波器捕獲信號(hào)的過(guò)程是典型的“采集-處理-采集-處理”過(guò)程,如所示為數(shù)字示波器的采集原理,一個(gè)捕獲周期由采樣時(shí)間和(處理時(shí)間)死區(qū)時(shí)間組成,如所示。示波器采集原理圖采樣時(shí)間:是信號(hào)采樣存儲(chǔ)的過(guò)程。

JP柜溫升試驗(yàn)系統(tǒng)HNDL 全自動(dòng)溫升試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間:大電流輸出不少于24小時(shí)

輸出相數(shù):三相  多路

在過(guò)去25年里,微控制器的內(nèi)部外設(shè)發(fā)生了巨大的變化。初許多微控制器只包含RAM、ROM,也許還有基本的定時(shí)器。隨著微控制器的發(fā)展,更多的外設(shè)被基礎(chǔ)到這種單價(jià)不超過(guò)一美元的器件中。定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、PWM和包括UART、SPI和I2C在內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)串行接口常用于這些廉價(jià)的微控制器。另一個(gè)重大變化是32位CPU正在取代同一價(jià)格范圍的8位器件。但是即便有如此豐富的特性,對(duì)于廉價(jià)微控制器而言,隨時(shí)都存在微控制器廠商不能迅速支持的項(xiàng)目硬件接口或新的方接口。JP柜溫升試驗(yàn)系統(tǒng)HNDL 全自動(dòng)溫升試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號(hào)

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

JP柜溫升試驗(yàn)系統(tǒng)HNDL 全自動(dòng)溫升試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做如果電源模塊的外圍電路設(shè)計(jì)使用不當(dāng),非但不能發(fā)揮模塊的優(yōu)勢(shì),還可能降低系統(tǒng)可靠性,本次我們就來(lái)談?wù)勔恍╇娫茨K外圍電路設(shè)計(jì)核心要點(diǎn)。兩級(jí)浪涌防護(hù)電路,使用不當(dāng)適得其反電源模塊體積小,在EMC要求比較高的場(chǎng)合,需要增加額外的浪涌防護(hù)電路,以提升系統(tǒng)EMC性能。如所示,為提高輸入級(jí)的浪涌防護(hù)能力,在外圍增加了壓敏電阻和TVS管。但圖中的電路、原目的是想實(shí)現(xiàn)兩級(jí)防護(hù),但可能適得其反。如果中MOV2的壓敏電壓和通流能力比MOV1低,在強(qiáng)干擾場(chǎng)合,MOV2可能無(wú)法承受浪涌沖擊而提前損壞,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)。JP柜溫升試驗(yàn)系統(tǒng)HNDL 全自動(dòng)溫升試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做


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