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HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 配電箱大電流發(fā)生器HNDL 交流溫升試驗(yàn)裝置 容量大 5年保修
聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞,關(guān)于這個(gè)問(wèn)題,也見(jiàn)到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗,簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。
1.2 技術(shù)參數(shù)要求
恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)
輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波
輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)
輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)
工作時(shí)間:大電流輸出不少于24小時(shí)
輸出相數(shù):三相 多路
當(dāng)前,充電功率的不斷擴(kuò)大,特別是在廠商方面表現(xiàn)得更為明顯,各大商家爭(zhēng)先恐后推出具有無(wú)線充電功能的產(chǎn)品。,即將發(fā)布的蘋(píng)果8據(jù)說(shuō)將搭載無(wú)線充電。也有調(diào)研機(jī)構(gòu)表示,到2025年,無(wú)線充電接收端與發(fā)送端設(shè)備的總出貨量將達(dá)到28億臺(tái),市場(chǎng)潛力巨大?;厮轃o(wú)線充電技術(shù)的發(fā)展史,經(jīng)過(guò)一番整并后,目前無(wú)線充電技術(shù)主要由AirFuelAlliance及無(wú)線充電聯(lián)盟(WPC)這兩大陣營(yíng)主導(dǎo),采用這兩大陣營(yíng)新版規(guī)格的無(wú)線充電產(chǎn)品皆已商用量產(chǎn)。
1.3 恒流源配置列表:(按照客戶(hù)具體需求配置)
序號(hào) |
名稱(chēng) |
數(shù)量 |
1 |
3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
2 |
3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
3 |
3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
4 |
3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |