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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡(jiǎn)單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做
詳情介紹:

HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做 

三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。電感位移傳感器被廣泛應(yīng)用于微小位移量檢測(cè)中,但在一些工程中現(xiàn)有傳感器的測(cè)量精度和靈敏度達(dá)不到測(cè)量要求。針對(duì)這一問題,對(duì)傳感器前段信號(hào)處理電路進(jìn)行改進(jìn),在傳感器上下線圈并聯(lián)電容形成LC電路,利用LC電路諧振效應(yīng)改善電路的性能,以提高信號(hào)源頭的靈敏度;采用Multisim軟件對(duì)半橋和全橋電路在并聯(lián)不同大小的電容后的性能進(jìn)行仿真,并用Matlab對(duì)生成的曲線進(jìn)行二乘擬合,比較得出使電路性能的電容值和并聯(lián)方法。

三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間:大電流輸出不少于24小時(shí)

輸出相數(shù):三相  多路

如果一段信號(hào)每隔8小時(shí)就出現(xiàn)若干次故障,但故障的位置和次數(shù)全都隨機(jī)。你覺得,這種信號(hào)要怎么抓?針對(duì)空閑時(shí)間較長(zhǎng)的脈沖信號(hào)、高頻的串行總線信號(hào)、小概率的猝發(fā)或毛刺信號(hào),如何做到既可以長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)控,又可高采樣率捕獲呢?本文結(jié)合測(cè)試時(shí)長(zhǎng)8小時(shí)振動(dòng)試驗(yàn),捕獲小概率失效區(qū)信號(hào)的案例,對(duì)示波器分段存儲(chǔ)的應(yīng)用進(jìn)行探討。8小時(shí)振蕩檢測(cè)試驗(yàn)以振動(dòng)試驗(yàn)的連接器測(cè)試為例,整個(gè)過程中,監(jiān)測(cè)連接器可能出現(xiàn)次失效區(qū)的次數(shù),進(jìn)而檢測(cè)產(chǎn)品是否合格。三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號(hào)

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞,關(guān)于這個(gè)問題,也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗,簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 定制定做


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