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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:JP柜多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 大電流溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。JP柜多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 大電流溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)
詳情介紹:

HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) JP柜多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 大電流溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 30年經(jīng)驗(yàn) 

JP柜多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 大電流溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。目前,新能源的研究領(lǐng)域中,超級(jí)電容作為業(yè)界關(guān)注的新型儲(chǔ)能器件,具備了可快速充放電的優(yōu)點(diǎn),又有電池的儲(chǔ)能機(jī)理。超級(jí)電容測(cè)試及其應(yīng)用是業(yè)內(nèi)人士比較關(guān)注的話題。在這些應(yīng)用中,超級(jí)電容器為系統(tǒng)單提供所需的峰值功率電源或與電池一起在連續(xù)工作時(shí)提供穩(wěn)流低功率電源,而在峰值負(fù)載時(shí)提供一個(gè)高功率脈沖。在這里,超級(jí)電容器減弱了用電器對(duì)電池提供峰值功率的要求,這樣就可以大大延長電池的壽命,并減小了電池的整體尺寸。

JP柜多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 大電流溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間:大電流輸出不少于24小時(shí)

輸出相數(shù):三相  多路

對(duì)于速度的渴求始終在增長,傳輸速率每隔幾年就會(huì)加倍。這一趨勢(shì)在諸如計(jì)算、SAS和SATA存儲(chǔ)方面的PCIe以及云計(jì)算中的千兆以太網(wǎng)等很多現(xiàn)代通信系統(tǒng)中很普遍。信息對(duì)通過傳輸介質(zhì)傳送數(shù)據(jù)提出了巨大挑戰(zhàn)。目前的傳輸介質(zhì)仍然依賴于銅線,數(shù)據(jù)鏈路中的信號(hào)速率可以達(dá)到大于25Gbps,并且端口吞吐量可以大于100Gbps。這些串行數(shù)據(jù)傳輸設(shè)計(jì)使用差分信號(hào)的方式,通過被稱為差分對(duì)的一對(duì)銅線來傳送數(shù)據(jù)。A線路和B線路內(nèi)的信號(hào)是等振幅、反相位高速脈沖。JP柜多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 大電流溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號(hào)

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

JP柜多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 大電流溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)LED研發(fā)一LED光源半導(dǎo)體芯片發(fā)熱利用熱像儀,工程師可以根據(jù)得到的光源半導(dǎo)體芯片發(fā)熱紅外熱圖,出其芯片在工作時(shí)的溫度,以及溫度的分布情況,在此基礎(chǔ),達(dá)到提高LED產(chǎn)品壽命的目的。二LED模塊驅(qū)動(dòng)電路在LED產(chǎn)品研發(fā)中,需要工程師進(jìn)行一部分驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),整流器電路模塊。利用紅外熱像儀,工程師可以迅速而便捷地發(fā)現(xiàn)電路上溫度異常之處,便于完善電路設(shè)計(jì)。三光衰試驗(yàn)LED產(chǎn)品的光衰就是光在傳輸中的信號(hào)減弱,而現(xiàn)階段的LED大廠們做出的LED產(chǎn)品光衰程度都不相同,大功率LED同樣存在光衰,這和溫度有著直接的關(guān)系,主要是由晶片、熒光粉和封裝技術(shù)決定的。JP柜多回路溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 大電流溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)


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