HNDL系列全自動(dòng)大電流發(fā)生器測(cè)試系統(tǒng)交流恒流源 直流溫升試驗(yàn)設(shè)備 開關(guān)柜溫升試驗(yàn)裝置 30年經(jīng)驗(yàn)

是青島華能遠(yuǎn)見有限公司自主研制開發(fā)的專業(yè)應(yīng)用于母線槽、頻率50Hz開關(guān)、電流互感器和其它電器設(shè)備的電流負(fù)載速斷試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。則有效的保證了測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。整機(jī)測(cè)試單元包括：高精度毫秒計(jì)、真有效值電流表、電流傳感器（進(jìn)口件）、調(diào)壓器、大功率升流器、微電腦控制器等部分。自動(dòng)調(diào)壓輸出電流。而在與航位推算所需的機(jī)載傳感器中，由加速度傳感器和陀螺儀傳感器組成的運(yùn)動(dòng)傳感器尤為重要。由于彎道、坡度和車道變化等因素的影響，車輛行進(jìn)方向和朝向也會(huì)不時(shí)發(fā)生變化；加速度傳感器和陀螺儀傳感器可以檢測(cè)到這些車輛行進(jìn)方向和朝向的變化。對(duì)此，目前，很多傳感器廠商都會(huì)選擇利用MEMS制造技術(shù)，將三軸加速度傳感器與三軸陀螺儀傳感器封裝在一起，組成六軸慣性運(yùn)動(dòng)傳感器，進(jìn)行的航位推算，以較高精度測(cè)量及維護(hù)車輛位置，甚至協(xié)助在GNSS信號(hào)范圍外及信號(hào)中斷時(shí)進(jìn)行自動(dòng)駕駛，從而支持自動(dòng)駕駛車輛的高精度慣性。

特點(diǎn)

1、 采用10英寸真彩大液晶觸摸屏操作；測(cè)試無需外接任何輔助設(shè)備，全自動(dòng)控制，式操作，簡(jiǎn)單方便。

2、 帶有自動(dòng)穩(wěn)流系統(tǒng)，工控機(jī)可實(shí)現(xiàn)四遙控能

3、 采用當(dāng)前電力電子技術(shù)，抗干擾能力強(qiáng)，輸出精度高，紋波系數(shù)小于0.2％，準(zhǔn)確度高于0.5%；。

4、 自動(dòng)試驗(yàn)只需設(shè)置好目標(biāo)電流即可，無需人工監(jiān)控，僅需設(shè)定測(cè)試電流，省去手動(dòng)調(diào)壓，減小勞動(dòng)強(qiáng)度，提高工作效率。運(yùn)行時(shí)間可自由設(shè)定

5、絕緣耐壓 1800/AC  1min,   絕緣等級(jí)：B級(jí)

 當(dāng)可燃?xì)怏w（蒸汽、粉塵）和氧氣混合并達(dá)到一定濃度時(shí)，遇具有一定溫度的火源就會(huì)發(fā)生。我們把可燃?xì)怏w遇火源發(fā)生的濃度稱為濃度極限，簡(jiǎn)稱極限，一般用%表示。實(shí)際上，這種混合物也不是在任何混合比例上都會(huì)發(fā)生而要有一個(gè)濃度范圍。當(dāng)可燃?xì)怏w濃度低于LEL（限度）時(shí)（可燃?xì)怏w濃度不足）和其濃度高于UEL（限度）時(shí)（氧氣不足）都不會(huì)發(fā)生。不同的可燃?xì)怏w的LEL和UEL都各不相同，這一點(diǎn)在標(biāo)定儀器時(shí)要十分注意。

二、技術(shù)指標(biāo)

1.輸入 交流50Hz , 380V。

2.可三相平衡的輸出0—20000A交流大電流。運(yùn)行時(shí)段可自行設(shè)定。

3. 輸出開口電壓：0-20V.

4.電流精度 ：各電流均可平滑平穩(wěn)連續(xù)可調(diào)，精度高于0.5級(jí).電流電壓表顯示為真有效數(shù)值，精度高、穩(wěn)定度高。

5.電流波形失真   THD 1%  設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于國(guó)標(biāo)<<GB14048.2-14>>.

6.保護(hù)設(shè)置  過流、過壓

7.絕緣阻抗  20兆歐

8.絕緣耐壓  1800/AC  1MIN

9.可測(cè)被測(cè)元件的電流動(dòng)作時(shí)間。并可同步記錄鎖定動(dòng)作時(shí)間。常開、常閉觸點(diǎn)自動(dòng)判別。測(cè)時(shí)范圍：0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.稱重傳感器是電子計(jì)價(jià)秤不可缺少的重要部件，其準(zhǔn)確度對(duì)整機(jī)的影響很大。電子計(jì)價(jià)秤稱重傳感器的常見故障現(xiàn)象及維修方法主要有：通電后，顯示屏只顯示一串“8”，而且不斷閃亮。出現(xiàn)此故障先要檢查秤盤的放置位置是否正確。其次檢查是否有活動(dòng)物體卡住傳感稱重部分，再就是檢查模擬開關(guān)集成塊是否損壞。當(dāng)將同一稱重載荷加到電子計(jì)價(jià)秤上時(shí)。每一次的稱重顯示值都不同。一般，機(jī)械滯后或重復(fù)性超過規(guī)定值時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生此故障。造成機(jī)械滯后超差的原因有以下幾個(gè)因素：電阻應(yīng)變片本身的特性不好；彈性體的材質(zhì)和幾何形狀不好；粘貼劑變質(zhì)，應(yīng)變片與彈性體粘貼不好。

三、操作方法

1、儀器接入380V電壓，在將儀器后面電流輸出端子與被測(cè)品接通構(gòu)成電流回路接線端子要緊固。面板上的常閉觸點(diǎn)要接到被測(cè)品的輔助常閉觸點(diǎn)上。

2、打開儀器側(cè)面空氣開關(guān)，等待幾秒進(jìn)入試驗(yàn)選擇界面如下圖：

電流輸出線與常閉觸點(diǎn)接入后，注急停按鈕不要按下，直接按啟動(dòng)按鈕，即可通過點(diǎn)擊觸控屏升降按鈕來調(diào)節(jié)電流輸出大小。(每次試驗(yàn)結(jié)束后，都要按下面板歸零按鈕讓調(diào)壓器自動(dòng)歸零位)。

2) 自動(dòng)升流就選擇進(jìn)入“自動(dòng)試驗(yàn)”界面如下圖：

自動(dòng)試驗(yàn)時(shí)，每次都要先選擇“參數(shù)設(shè)置”來設(shè)置輸出電流大小。做長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行可自由設(shè)定運(yùn)行時(shí)間。如下圖：系統(tǒng)描述AOI是檢測(cè)PCB表面圖形品質(zhì)(如表面缺陷、斷路和短路)的設(shè)備，用于生產(chǎn)過程中半成品品質(zhì)檢測(cè)，是高精密單層印制板，尤其是多層印制板加工的關(guān)鍵技術(shù)。測(cè)試系統(tǒng)集光學(xué)、精密機(jī)械、識(shí)別診斷算法和計(jì)算機(jī)技術(shù)于一體。檢測(cè)時(shí)，機(jī)器通過電荷耦合器件(CCD)或激光自動(dòng)掃描PCB，采集圖像后送與計(jì)算機(jī)處理，再與數(shù)據(jù)庫(kù)中的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)比較，查出PCB上缺陷，用顯示器或自動(dòng)標(biāo)識(shí)系統(tǒng)顯示或標(biāo)識(shí)缺陷，供維修人員修理。項(xiàng)目產(chǎn)品清單主控設(shè)備：研祥EPI整機(jī)IPC-685E該主控設(shè)備的主板是一款采用IntelG41芯片組，支持IntelLGA775封裝雙核、四核E53、E84、Q94等系列CPU的高性能平臺(tái)；支持2條8/166M的DDR3內(nèi)存條，總?cè)萘恐С?GB；板載1個(gè)1/1/1Mbps網(wǎng)絡(luò)接口；支持VGA+VGA雙顯示功能；支持4個(gè)SATA接口；USB2.接口、2個(gè)串口(其中1個(gè)支持RS-232/RS-422/RS-485)、1個(gè)并口等豐富的I/O接口。

1.在連接儀器測(cè)試線前，應(yīng)先檢查各項(xiàng)調(diào)壓器是否歸零。急停按鈕是否關(guān)閉。

2.輸出電流2500A以上時(shí)，電流輸出線一定要緊固。試驗(yàn)時(shí)間≤300s。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。