HN11C高壓開(kāi)關(guān)綜合測(cè)試儀開(kāi)關(guān)回路電阻測(cè)試儀 HN11C系列 高低壓成套試驗(yàn)臺(tái) 售后完善
一、功能特點(diǎn) 

測(cè)試指標(biāo)：可測(cè)試國(guó)產(chǎn)（進(jìn)口）真空、六氟化硫、油高壓斷路器，負(fù)荷開(kāi)關(guān)、GIS接地刀閘開(kāi)關(guān)、接觸器、繼電器、空氣開(kāi)關(guān)等。合、分閘時(shí)間、同期、彈跳時(shí)間、次數(shù)、自動(dòng)重合閘、行程、速度、電流、動(dòng)作電壓等各項(xiàng)數(shù)據(jù)、波形。

抗擾通道：可抵御550KV變電所現(xiàn)場(chǎng)靜電干擾！在城市軌道交通系統(tǒng)中，根據(jù)車(chē)輛的特點(diǎn)，采用直線(xiàn)電機(jī)作為驅(qū)動(dòng)電機(jī)又提供了一種新的選擇。直線(xiàn)電機(jī)地鐵采用直線(xiàn)感應(yīng)電機(jī)牽引，輪軌系統(tǒng)支撐導(dǎo)向，具有技術(shù)先進(jìn)、**可靠、經(jīng)濟(jì)合理以及綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是一種新型的城市軌道交通系統(tǒng)。與普通地鐵相比，其能避開(kāi)建筑物及基礎(chǔ)、地下管線(xiàn)和其他地下構(gòu)筑物，車(chē)輛段占地面積也小，適應(yīng)山區(qū)城市已無(wú)大面積平地可供利用的現(xiàn)狀。直線(xiàn)電機(jī)具有造價(jià)低、振動(dòng)小、噪聲低、爬坡能力強(qiáng)、牽引能力優(yōu)越、通過(guò)曲線(xiàn)半徑小、污染小、**性能好等諸多優(yōu)點(diǎn)，但也存在電機(jī)效率較低、感應(yīng)板養(yǎng)護(hù)維修要求較高等不足。

位移通道：1路位移信號(hào)采集，適配耐用的精密電阻線(xiàn)性位移、角位移傳感器。亦可適配用戶(hù)傳統(tǒng)自配的滑線(xiàn)電阻傳感器。

同步觸發(fā)：可響應(yīng)電壓、電流、傳感器、斷口變化多種同步觸發(fā)方式。具有無(wú)電位接點(diǎn)操作控制模塊，無(wú)彈跳接點(diǎn)，接點(diǎn)開(kāi)斷容量： 30A，250V（AC/DC）

操作界面：5.7″黑白液晶屏，菜單式操作，并在面板上增加了快捷設(shè)置按鍵。配備高精度激光傳感器，傳感器安裝迅速、快捷、簡(jiǎn)單；同時(shí)也可配置滑線(xiàn)電阻傳感器和角度傳感器；并配備齊全相關(guān)傳感器、斷路器的測(cè)試支架；關(guān)于數(shù)采配置及現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試應(yīng)用的部分問(wèn)題，是工作者在實(shí)踐過(guò)程中時(shí)常會(huì)遇到的狀況。為什么記錄了許久但導(dǎo)出文件卻發(fā)現(xiàn)沒(méi)有數(shù)據(jù)，為什么采樣數(shù)據(jù)文件找不到，為什么趨勢(shì)圖不顯示，為什么設(shè)置了運(yùn)算公式卻沒(méi)顯示結(jié)果？本文為你詳細(xì)講解。事件數(shù)據(jù)與顯示數(shù)據(jù)的區(qū)別事件數(shù)據(jù)將各測(cè)量周期采集的數(shù)據(jù)按照設(shè)定的記錄周期進(jìn)行記錄。雖然記錄了詳細(xì)的數(shù)據(jù)，但是數(shù)據(jù)量較大。其記錄的數(shù)據(jù)格式為.TEV，記錄的數(shù)值為瞬時(shí)值，使用Excel打開(kāi)后的界面如所示。

速度定義：提供了常用的開(kāi)關(guān)速度定義庫(kù)和可編輯速度定義庫(kù)兩種模式可供用戶(hù)自行選擇。

錄波功能：12路普通金屬觸頭通斷、線(xiàn)圈電流；行程、時(shí)間波形。具有斷路器型號(hào)庫(kù)功能，測(cè)試時(shí)可直接調(diào)用數(shù)據(jù)庫(kù)斷路器型號(hào)，無(wú)需特別設(shè)置

U盤(pán)存儲(chǔ)：可將數(shù)據(jù)及波形文件快速存儲(chǔ)到U盤(pán)，直接用上位機(jī)軟件打開(kāi)。

在線(xiàn)幫助：儀器內(nèi)置豐富的接線(xiàn)、安裝、測(cè)試操作幫助。無(wú)說(shuō)明書(shū)就能簡(jiǎn)單使用。另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機(jī)理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關(guān)。半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的散粒噪聲由于半導(dǎo)體PN結(jié)兩端勢(shì)壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應(yīng)。當(dāng)外加正向電壓升高時(shí)，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運(yùn)動(dòng)，相當(dāng)于對(duì)電容充電。當(dāng)正向電壓減小時(shí)，它又使電子和空穴遠(yuǎn)離耗盡區(qū)，相當(dāng)于電容放電。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，耗盡區(qū)的變化相反。當(dāng)電流流經(jīng)勢(shì)壘區(qū)時(shí)，這種變化會(huì)引起流過(guò)勢(shì)壘區(qū)的電生微小波動(dòng)，從而產(chǎn)生電流噪聲。