HN11C高壓開關(guān)綜合測(cè)試儀接觸電阻測(cè)試儀 HN11C系列 數(shù)字式三相移相器 30年經(jīng)驗(yàn)
一、功能特點(diǎn) 

測(cè)試指標(biāo)：可測(cè)試國(guó)產(chǎn)（進(jìn)口）真空、六氟化硫、油高壓斷路器，負(fù)荷開關(guān)、GIS接地刀閘開關(guān)、接觸器、繼電器、空氣開關(guān)等。合、分閘時(shí)間、同期、彈跳時(shí)間、次數(shù)、自動(dòng)重合閘、行程、速度、電流、動(dòng)作電壓等各項(xiàng)數(shù)據(jù)、波形。

抗擾通道：可抵御550KV變電所現(xiàn)場(chǎng)靜電干擾！測(cè)控技術(shù)與儀器是一門研究信息的獲取和處理，以及對(duì)相關(guān)要素進(jìn)行控制的理論與技術(shù)?！皽y(cè)控技術(shù)與儀器”是指對(duì)信息進(jìn)行采集、測(cè)量、存儲(chǔ)、傳輸、處理和控制的手段與設(shè)備，包含測(cè)量技術(shù)、控制技術(shù)和實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)的儀器儀表及系統(tǒng)。什么是測(cè)控技術(shù)？測(cè)控技術(shù)與儀器，是建立在精密機(jī)械、電子技術(shù)、光學(xué)、自動(dòng)控制和計(jì)算機(jī)技術(shù)的基礎(chǔ)上，主要研究精密測(cè)試和控制技術(shù)的新原理、新方法和新工藝。近年來，計(jì)算機(jī)技術(shù)在測(cè)控技術(shù)的應(yīng)用研究中呈現(xiàn)出越來越重要的地位。

位移通道：1路位移信號(hào)采集，適配耐用的精密電阻線性位移、角位移傳感器。亦可適配用戶傳統(tǒng)自配的滑線電阻傳感器。

同步觸發(fā)：可響應(yīng)電壓、電流、傳感器、斷口變化多種同步觸發(fā)方式。具有無電位接點(diǎn)操作控制模塊，無彈跳接點(diǎn)，接點(diǎn)開斷容量： 30A，250V（AC/DC）

操作界面：5.7″黑白液晶屏，菜單式操作，并在面板上增加了快捷設(shè)置按鍵。配備高精度激光傳感器，傳感器安裝迅速、快捷、簡(jiǎn)單；同時(shí)也可配置滑線電阻傳感器和角度傳感器；并配備齊全相關(guān)傳感器、斷路器的測(cè)試支架；再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意，大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決：不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。

速度定義：提供了常用的開關(guān)速度定義庫和可編輯速度定義庫兩種模式可供用戶自行選擇。

錄波功能：12路普通金屬觸頭通斷、線圈電流；行程、時(shí)間波形。具有斷路器型號(hào)庫功能，測(cè)試時(shí)可直接調(diào)用數(shù)據(jù)庫斷路器型號(hào)，無需特別設(shè)置

U盤存儲(chǔ)：可將數(shù)據(jù)及波形文件快速存儲(chǔ)到U盤，直接用上位機(jī)軟件打開。

在線幫助：儀器內(nèi)置豐富的接線、安裝、測(cè)試操作幫助。無說明書就能簡(jiǎn)單使用。功率器件熱阻分布示意圖舉個(gè)例子來說，大家常用的S8050在25℃（Tc）的耗散功率是0.625W，額定電流為0.5A，結(jié)點(diǎn)溫度為150℃,此代入公式有：從上面公式可以推算出Rja為200℃/W（Rja表示結(jié)點(diǎn)到空氣的熱阻）。假設(shè)芯片殼溫（Tc）為55℃，熱耗散功率有0.5W時(shí)，此刻芯片結(jié)點(diǎn)溫度為：Tj=Tc+PD*Rjc代入得到155℃，已經(jīng)超過了結(jié)溫150℃了。故需要降額使用，然而降額曲線在數(shù)據(jù)手冊(cè)中并未標(biāo)注，所以小編只能自行計(jì)算。