HN300電纜故障測(cè)試儀 地埋電纜電纜故障測(cè)試儀 HN300系列 高架電纜故障測(cè)試儀30年經(jīng)驗(yàn)

 用于35kV及以下不同等級(jí)、不同截面、不同介質(zhì)及材質(zhì)的電力電纜的各類故障，包括：開路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻閃絡(luò)性故障。可配合高壓設(shè)備實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)電纜故障測(cè)試的低壓脈沖法、沖擊閃絡(luò)法、速度測(cè)量法。 全中文操作軟件和使用界面，子菜單方式和文字提示實(shí)現(xiàn)人機(jī)互動(dòng)。工業(yè)級(jí)10.4寸彩色觸摸液晶屏顯示，全中文操作軟件和使用界面，子菜單方式和文字提示實(shí)現(xiàn)人機(jī)互動(dòng)。為了同時(shí)實(shí)現(xiàn)多通道和高速采集，橫河SMARTDAC+系列采集器采用了各模塊立A/D的硬件設(shè)計(jì)，各模塊間的數(shù)據(jù)采集并行處理，而主機(jī)CPU負(fù)責(zé)所有通道的數(shù)據(jù)保存和上位通信，從而可以保證5ms*1ch的系統(tǒng)性能。靈活的信號(hào)輸入在研究和設(shè)計(jì)開發(fā)領(lǐng)域使用的記錄儀，需要根據(jù)實(shí)驗(yàn)?zāi)康挠涗洀膫鞲衅骰蛘邚碾妷?電流源得到的信號(hào)。因此需要對(duì)應(yīng)溫度傳感器和電壓量程?？刹鹦抖俗恿硗?，多點(diǎn)測(cè)試有大量接線的工作，為了提高接線的作業(yè)效率，可以選擇端子可拆卸的產(chǎn)品。

技術(shù)參數(shù)

1. 采樣方法：低壓脈沖法、沖擊閃絡(luò)法、速度測(cè)量法

2. 采樣速率：200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz

3. 脈沖寬度：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs

4. 波速設(shè)置：交聯(lián)、聚氯、油浸紙、不滴油和未知類型自設(shè)定

5. 沖擊高壓：35kV及以下

6. 測(cè)試距離：＜60km，盲區(qū)≤1m

7. 分 辨 率：1m

8. 測(cè)試精度：1m

9. 顯示方式：工業(yè)級(jí)10.4寸彩色觸摸液晶屏

無源晶振自身無法震蕩，在工作時(shí)需要搭配外圍電路。在一定條件下，石英晶片會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)：晶片兩端的電場(chǎng)與機(jī)械形變會(huì)互相轉(zhuǎn)化。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率相等時(shí)，晶體產(chǎn)生的振動(dòng)和電場(chǎng)強(qiáng)度，這稱為壓電諧振，類似與LC回路的諧振。圖1石英晶體的電路符號(hào)、等效電路、電抗特性及外圍電路圖由于晶體為無源器件，其對(duì)外圍電路的參數(shù)較為敏感，尤其為負(fù)載電容。根據(jù)晶體的手冊(cè)，我們得知測(cè)試電路中有電容，此電容對(duì)晶體是否起振大有關(guān)聯(lián)：CCg稱作匹配電容，是接在晶振的兩個(gè)腳上的對(duì)地電容，其作用就是調(diào)節(jié)負(fù)載電容使其與晶振的要求相一致，需要注意的是CCg串聯(lián)后的總電容值才是有效的負(fù)載電容部分。

 四、工作原理

       本產(chǎn)品采用的是時(shí)域反射（TDR）原理，即對(duì)電纜發(fā)射一電脈沖，電脈沖將在電纜中勻速傳輸，當(dāng)遇到電纜阻抗發(fā)生變化的地方（故障點(diǎn)），電脈沖將產(chǎn)生反射。測(cè)距主機(jī)將電脈沖的發(fā)射和反射的變化以時(shí)域形式通過液晶屏顯示出來，通過屏幕上的波形可直接判讀故障距離。

① 開關(guān)按鍵：按下自鎖接通電源，再按解鎖斷開電源。開機(jī)2分鐘無任何操作時(shí)，屏幕將變暗進(jìn)入屏保節(jié)能狀態(tài)。如果電源模塊的外圍電路設(shè)計(jì)使用不當(dāng)，非但不能發(fā)揮模塊的優(yōu)勢(shì)，還可能降低系統(tǒng)可靠性，本次我們就來談?wù)勔恍╇娫茨K外圍電路設(shè)計(jì)核心要點(diǎn)。兩級(jí)浪涌防護(hù)電路，使用不當(dāng)適得其反電源模塊體積小，在EMC要求比較高的場(chǎng)合，需要增加額外的浪涌防護(hù)電路，以提升系統(tǒng)EMC性能。如所示，為提高輸入級(jí)的浪涌防護(hù)能力，在外圍增加了壓敏電阻和TVS管。但圖中的電路、原目的是想實(shí)現(xiàn)兩級(jí)防護(hù)，但可能適得其反。如果中MOV2的壓敏電壓和通流能力比MOV1低，在強(qiáng)干擾場(chǎng)合，MOV2可能無法承受浪涌沖擊而提前損壞，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)。

② 充電端口：用于連接充電器，給電池充電。

③ 中值旋鈕：順時(shí)針旋動(dòng)中值向上走動(dòng)；逆時(shí)針旋動(dòng)中值向下走動(dòng)。（需采樣刷新才有變化）大；逆時(shí)針旋動(dòng)幅度減小。（需采樣刷新才有變化）

⑤ 采樣端口：四芯座，用于連接采樣線。按照存儲(chǔ)芯片MicroSD卡供電要求的范圍：2.7V-3.6V；不允許超出此范圍，否則，芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會(huì)有比較大的風(fēng)險(xiǎn)，甚至?xí)?duì)卡片的正常工作帶來影響。需要考慮的是示波器的設(shè)置，究竟是否需要進(jìn)行20MHZ的帶寬限制？詳細(xì)的使用環(huán)境如下圖所示：如何去測(cè)試“高頻開關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來的那個(gè)端口可以當(dāng)做電源的源端，而通過后端的外圍模塊后在末端進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，電源通過了一段PCB走線，包括一些芯片回路，應(yīng)該存在高頻的噪聲，如果采用20MHZ的帶寬限制，實(shí)際上是將原本屬于模塊的噪聲給濾掉了，為此，我們進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證：步，我先驗(yàn)證IPAD的供電端在工作時(shí)的輸出，如下圖：通過直接驗(yàn)證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的；通過測(cè)試，我們發(fā)現(xiàn)在源端測(cè)量的電壓值在3.4V（500MHZ帶寬測(cè)量）左右，峰峰值29mV，是非常穩(wěn)定的供電；可以排除源端供電的問題，接下來，我們直接在通過整個(gè)模塊后在MicroSD卡的供電腳SDVCC對(duì)電行測(cè)量，如下圖：當(dāng)我們?cè)趫D片上的點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)在高頻開關(guān)電源上有相當(dāng)大的噪聲，使得電壓超出了規(guī)范要求的范圍，值達(dá)到了3.814V，峰峰值達(dá)854mV；但當(dāng)我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時(shí)候，高頻開關(guān)電源變的非常好，完全在供電要求的范圍內(nèi)；正如在本文開頭描述的，在本次高頻開關(guān)電源測(cè)試過程中，已經(jīng)不是高頻開關(guān)電源紋波測(cè)量，而應(yīng)該是噪聲。

⑥ 觸摸式彩色液晶屏：詳見“工作界面介紹”。

按“       ”鍵，彈出采樣方式選擇子菜單。子菜單中包括：“低壓脈沖”、“閃絡(luò)方法”和“速度測(cè)量”。儀器開機(jī)默認(rèn)“低壓脈沖”，根據(jù)測(cè)試需要，可選擇相應(yīng)的采樣方式，再按“采樣方式”鍵退出。

按“       ”鍵，彈出脈沖寬度選擇子菜單。子菜單中包括7個(gè)選項(xiàng)，分別為：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根據(jù)測(cè)試距離選擇合適的脈寬，按對(duì)應(yīng)的子菜單鍵可以對(duì)脈沖寬度進(jìn)行選擇，儀器開機(jī)默認(rèn)0.2μs，再按“脈寬”鍵退出此項(xiàng)功能。注意：在高壓閃絡(luò)法測(cè)試中此項(xiàng)不做選擇。

從發(fā)展趨勢(shì)來看，紅外熱像檢測(cè)技術(shù)將會(huì)成為器無損檢測(cè)的常規(guī)檢測(cè)手段；從維修工作的實(shí)際效果來看，采用紅外熱像技術(shù)檢測(cè)復(fù)合材料蜂窩內(nèi)部積水的方法效率高、結(jié)果準(zhǔn)確。原理及概況物理原理溫度在零度以上的物體均能產(chǎn)生電磁波，電磁波波長(zhǎng)范圍與物體的溫度相對(duì)應(yīng)。如圖1所示為不同溫度下黑體的光譜輻射量，圖中波長(zhǎng)與輻射量是與溫度相關(guān)的函數(shù)關(guān)系。熱輻射與其它形式的電磁波一樣，在物體表面時(shí)會(huì)發(fā)生反射、透射和吸收。圖1不同溫度下黑體的光譜輻射量檢測(cè)原理材料或結(jié)構(gòu)中的缺陷，如復(fù)合材料或其結(jié)構(gòu)件中的分層、脫粘、裂紋等，其導(dǎo)熱特性與材料本身存在明顯差異。