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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測(cè)試儀定制定做

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測(cè)試儀定制定做
詳情介紹:

HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測(cè)試儀定制定做沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測(cè)試儀定制定做產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用范圍:變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊,雷電截?cái)嗖ǎ僮鳑_擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)沖擊波的各類沖擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形(標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形,用戶提出來的波形)。 適用領(lǐng)域:質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu),電力設(shè)備制造廠,鐵路通信,航天和航天飛行器,科研單位,大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。光纖通信是用光纖作為傳輸介質(zhì),以光波作為載波來實(shí)現(xiàn)信息傳輸,從而達(dá)到通信目的的一種新通信技術(shù)。與傳統(tǒng)的電氣通信相比,光纖傳感技術(shù)具有精度和靈敏度高、抗電磁干擾、壽命長(zhǎng)、耐腐蝕、成本低、光纖傳輸損耗極低,傳輸距離遠(yuǎn)等突出優(yōu)點(diǎn)。雖然光纖通信具有以上突出的優(yōu)點(diǎn),但本身存在的缺陷也不容忽視,比如:光纖的質(zhì)地脆,容易斷裂、機(jī)械強(qiáng)度差,彎曲不能過小;供電困難;分路、耦合不靈活;光纖的切斷和連接需要特定的工具或設(shè)備等。

 

產(chǎn)品別稱:沖擊電壓發(fā)生器,雷電沖擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置,雷電沖擊電流發(fā)生器,電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號(hào)。至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,一般都用NMOS。沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測(cè)試儀定制定做
HN
CJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

 

1、回路電感小,并采取帶阻濾波措施,在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波,負(fù)載能力大。

 

2、電壓利用系數(shù)高,雷電波和操作波分別不低于85%80%。

 

3、調(diào)波方便,操作簡(jiǎn)單,同步性能好,動(dòng)作可靠。在這里,我們主要討論模式模式四充電樁內(nèi)的剩余電流保護(hù)器的選用。在GB/T18487.1-2015中要求,交流供電設(shè)備的剩余電流保護(hù)器宜采用A型或B型,符合GB14084.2-2008,GB16916.1-2014和GB22794-2008的相關(guān)要求。如所示為充電模式3控制導(dǎo)引電路原理圖,在供電設(shè)備內(nèi)部安裝了剩余電流保護(hù)器。圖1充電模式3控制導(dǎo)引電路原理圖什么是A型或者B型剩余電流保護(hù)器?我國(guó)的剩余電流保護(hù)裝置(RCD)指導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)GB/Z6829-2008(IEC/TR60755:2008,MOD)《剩余電流動(dòng)作保護(hù)器的一般要求》從產(chǎn)品的基本結(jié)構(gòu)、剩余電流類型、脫扣方式等方面作了劃分。沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測(cè)試儀定制定做沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測(cè)試儀定制定做沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測(cè)試儀定制定做沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測(cè)試儀定制定做

 

4、采用恒流充電自動(dòng)控制技術(shù),自動(dòng)化程度高,抗干擾能力強(qiáng)。

 


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