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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:雷電沖擊電壓發(fā)生器 HNCJ系列 CVT諧振耐壓裝置試驗(yàn)方法

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。雷電沖擊電壓發(fā)生器 HNCJ系列 CVT諧振耐壓裝置試驗(yàn)方法
詳情介紹:

HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
雷電沖擊電壓發(fā)生器 HNCJ系列 CVT諧振耐壓裝置試驗(yàn)方法雷電沖擊電壓發(fā)生器 HNCJ系列 CVT諧振耐壓裝置試驗(yàn)方法產(chǎn)品簡介:

沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用范圍:變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊,雷電截?cái)嗖?,操作沖擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)沖擊波的各類沖擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形(標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形,用戶提出來的波形)。 適用領(lǐng)域:質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu),電力設(shè)備制造廠,鐵路通信,航天和航天飛行器,科研單位,大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。兩點(diǎn)之前近刻度的舍入誤差就是量化噪聲的物理表現(xiàn)形式。所有ADC都會(huì)對(duì)連接至其輸入端的電壓執(zhí)行這種操作。它們會(huì)進(jìn)行信號(hào)檢測(cè)并將實(shí)際電壓近似為有限數(shù)量的步長。ADC中所用到的步長數(shù)量決定分辨率的大小。高精度Δ-ΣADC的噪聲成形特性通常會(huì)限度地降低熱噪聲和閃爍噪聲。對(duì)于16位或16位以下的器件而言,熱噪聲遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于因信號(hào)近似而產(chǎn)生的誤差。在此類ADC中,大家會(huì)發(fā)現(xiàn)在低數(shù)據(jù)速率下數(shù)字代碼幾乎沒有發(fā)生變化。

 

產(chǎn)品別稱:沖擊電壓發(fā)生器,雷電沖擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置,雷電沖擊電流發(fā)生器,電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

FLIR紅外相機(jī)可以在現(xiàn)場(chǎng)抓取高質(zhì)量的紅外熱圖,并且存貯在后臺(tái)的計(jì)算機(jī)中,對(duì)于每一模的溫度都做保存,并且通過后臺(tái)的軟件作出統(tǒng)計(jì),對(duì)于生產(chǎn)的工藝作出的控制,大大提高壓鑄廠家的工藝穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)追溯能力。上圖是一個(gè)現(xiàn)場(chǎng)的紅外熱像監(jiān)控系統(tǒng),通過安裝在機(jī)械臂上的紅外相機(jī)(安裝在保護(hù)殼中),紅外相機(jī)根據(jù)壓鑄系統(tǒng)中的PLC發(fā)出的命令抓圖,并且傳輸?shù)胶笈_(tái)計(jì)算機(jī)中,做進(jìn)一步的溫度分布。借助FLIR在線紅外相機(jī)強(qiáng)大的功能以及穩(wěn)定性,這套系統(tǒng)已經(jīng)在大量客戶現(xiàn)場(chǎng)穩(wěn)定工作了。雷電沖擊電壓發(fā)生器 HNCJ系列 CVT諧振耐壓裝置試驗(yàn)方法
HN
CJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

 

1、回路電感小,并采取帶阻濾波措施,在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波,負(fù)載能力大。

 

2、電壓利用系數(shù)高,雷電波和操作波分別不低于85%80%。

 

3、調(diào)波方便,操作簡單,同步性能好,動(dòng)作可靠。在帶寬500MHz以下的示波器,一般標(biāo)配是1倍衰減或10倍衰減的無源,某些的衰減比可手動(dòng)選擇。不同衰減比的在帶寬、輸入電阻、輸入電容上面都有差異:圖2ZP1025SA1倍、10倍衰減時(shí)的參數(shù)差異可見的輸入電容,比晶體手冊(cè)的負(fù)載電容要大。的介入,必定大大影響到原已參數(shù)優(yōu)化好的電路,從而嚴(yán)重影響晶體電路的起振。兩害相權(quán)取其輕,測(cè)量無源晶振時(shí)應(yīng)優(yōu)先選用10倍衰減。若10倍衰減的寄生參數(shù)還是過大,可以考慮選用有源高壓差分,其負(fù)載參數(shù)優(yōu)化得非常小,如Lecroy的ZP1000,輸入阻抗可達(dá)0.9p1M歐姆。雷電沖擊電壓發(fā)生器 HNCJ系列 CVT諧振耐壓裝置試驗(yàn)方法雷電沖擊電壓發(fā)生器 HNCJ系列 CVT諧振耐壓裝置試驗(yàn)方法雷電沖擊電壓發(fā)生器 HNCJ系列 CVT諧振耐壓裝置試驗(yàn)方法雷電沖擊電壓發(fā)生器 HNCJ系列 CVT諧振耐壓裝置試驗(yàn)方法

 

4、采用恒流充電自動(dòng)控制技術(shù),自動(dòng)化程度高,抗干擾能力強(qiáng)。

 


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