HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
雷電沖擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ系列 交流耐壓試驗(yàn)裝置原理用途產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用范圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊，雷電截?cái)嗖ǎ僮鳑_擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)沖擊波的各類沖擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備制造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。滾動(dòng)模式滾動(dòng)模式的特點(diǎn)如下：連續(xù)采樣，無采樣間隔，邊采樣邊顯示，無觸發(fā)設(shè)置，波形始終從右往左滾動(dòng)顯示。所示。優(yōu)點(diǎn)：采樣無死區(qū)，且實(shí)時(shí)顯示，不會(huì)丟失數(shù)據(jù)。但應(yīng)注意到，采樣率過低也會(huì)導(dǎo)致采到的數(shù)據(jù)沒有意義，所以選擇深存儲(chǔ)示波器是至關(guān)重要的，深存儲(chǔ)波形不失真，重建。缺點(diǎn)：波形無法穩(wěn)定顯示，沒有觸發(fā)的概念，不能自動(dòng)識(shí)別低概率信號(hào)。小提示：為什么滾動(dòng)模式下，波形是從右往左滾動(dòng)顯示的呢？因?yàn)閅T模式定義的時(shí)間軸是左負(fù)右正（左側(cè)為舊數(shù)據(jù)右側(cè)為新數(shù)據(jù)），那么新采集的數(shù)據(jù)必然是從右側(cè)增加，舊的數(shù)據(jù)則從左側(cè)移出屏外，所以就形成了從右往左滾動(dòng)顯示。

產(chǎn)品別稱：沖擊電壓發(fā)生器，雷電沖擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電沖擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

另一方面，在電源從額定負(fù)載到限流點(diǎn)負(fù)載范圍內(nèi)，電源又無法實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)，將嚴(yán)重影響電源可靠性、壽命等。負(fù)載調(diào)整率和負(fù)載要求對(duì)單路輸出電源，一般無負(fù)載要求。但當(dāng)負(fù)載降低到額定負(fù)載10%以下，為降低電源空載或輕載功耗，會(huì)進(jìn)入間歇工作模式，雖不影響其正常工作，但其紋波可能會(huì)增大并出現(xiàn)聽覺噪聲。選擇電源模塊時(shí)功率亦需考慮。如負(fù)載低于1W，卻選擇10W或更大功率的電源明顯是不合適的。除此之外，對(duì)雙路及更多路輸出電源，通常要求每一路都帶有至少10%額定負(fù)載。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，并采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用系數(shù)高，雷電波和操作波分別不低于85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。在玻璃尺或玻璃盤上類似于刻線標(biāo)尺或度盤那樣，進(jìn)行長(zhǎng)刻線（一般為1?12mm）的密集刻劃，得到如下圖所示的黑白相間間隔細(xì)小的條紋，沒有刻劃的白的地方透光，刻劃的發(fā)黑處不透光，這就是光柵。柵線放大圖實(shí)際上，光柵很早就被人們發(fā)現(xiàn)了，但應(yīng)用于技術(shù)領(lǐng)域只有一百多年的歷史。早期，人們利用光柵的衍射效應(yīng)進(jìn)行光譜和光波波長(zhǎng)的測(cè)定。到了2世紀(jì)5年代，人們開始利用光柵的莫爾條紋現(xiàn)象進(jìn)行精密測(cè)量，從而出現(xiàn)了光柵式傳感器。雷電沖擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ系列 交流耐壓試驗(yàn)裝置原理用途

4、采用恒流充電自動(dòng)控制技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗干擾能力強(qiáng)。