HN1015A蓄電池充放電，活化測(cè)試儀 蓄電池充放電一體機(jī) HN1016B 整組蓄電池活化儀定制定做

本儀器是針對(duì)整組蓄電池系列測(cè)試，不同規(guī)格型號(hào)對(duì)整組要求不同，具體根據(jù)儀表為準(zhǔn)。單體電池電壓為2V\12V（根據(jù)具體指標(biāo)定）的鉛酸蓄電池組進(jìn)行測(cè)試的儀器。

測(cè)試步驟介紹低時(shí)延是5G區(qū)別于前幾代移動(dòng)通信的主要特征，但也給承載網(wǎng)尤其是5G前傳承載網(wǎng)帶來(lái)了挑戰(zhàn)。uRLLC業(yè)務(wù)要求時(shí)延小于1ms，分配給承載網(wǎng)設(shè)備的時(shí)延非?？量蹋瑐鹘y(tǒng)的承載設(shè)備幾十微秒的時(shí)延難以滿足要求，為5G承載帶來(lái)了挑戰(zhàn)。另一方面，5G業(yè)務(wù)的帶寬需求也有著大幅的增長(zhǎng)，在C-RAN架構(gòu)下，一個(gè)典型的5G的前傳帶寬達(dá)到了3-6路25G，傳統(tǒng)的光纖直驅(qū)難以滿足需求。作為綜合通信解決方案提供商，中興通訊在低時(shí)延高可靠性傳輸方面有著深厚的技術(shù)積累。

1.4.1在線監(jiān)測(cè)測(cè)試：

步：連接單體電壓采集器。（詳見章節(jié)2.4）

步：把整組電壓測(cè)試線連接到電池組兩端。（詳見章節(jié)2.5）

步：插入電源，主機(jī)開機(jī)。

第四步：進(jìn)入在線監(jiān)測(cè)參數(shù)設(shè)置。(詳見章節(jié)3.1）

第五步：“確定”開始測(cè)試。

1.4.2 放電測(cè)試：巴特沃斯濾波器拓?fù)淝斜妊┓驗(yàn)V波器拓?fù)鋱D分別對(duì)應(yīng)他們的端口阻抗與駐波比。巴特沃斯濾波器的SmitVSWR及S21切比雪夫?yàn)V波器的SmitVSWR及S21這里可以清楚的看到在圓環(huán)中，兩種濾波器不同頻率下的阻抗并不相同，巴特沃斯濾波器伴隨著頻率的增加，阻抗偏離匹配點(diǎn)；而切比雪夫?yàn)V波器因?yàn)橛兄C振電路引起阻抗的突變的，所以阻抗會(huì)圍繞在匹配點(diǎn)附近小范圍變化，這就導(dǎo)致切比雪夫?yàn)V波器的可用頻段比巴特沃斯濾波器更多。

步：連接單體電壓采集器（詳見章節(jié)2.4）。純負(fù)載不具此功能

步：放電開關(guān)，撥到分的位置(防止放電電纜反接，損壞儀器；反接告警提示)。

步：把放電線一端連到主機(jī)，另一端連到電池組兩端。（注意紅正黑負(fù)）。接反會(huì)告警提示。（詳見章節(jié)2.5）

第四步：把整組電壓測(cè)試線連接到電池組2端。

第五步：插入電源(電池組供電不用接AC220V電源，直接將放電開關(guān)撥到合的位置)，主機(jī)開機(jī)。

第六步：進(jìn)入放電參數(shù)設(shè)置。(詳見章節(jié)3.2）

第七步：將放電開關(guān)撥到合的位置（電池組供電省略此步驟）。

第八步：“確定”開始測(cè)試。

1.4.3容量快測(cè)（選配功能）當(dāng)用一種材料校正儀器后(常用試塊為鋼)又去測(cè)量另一種材料時(shí)，將產(chǎn)生錯(cuò)誤的結(jié)果。溫度的影響。一般固體材料中的聲速隨其溫度升高而降低，有試驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，熱態(tài)材料每增加100℃，聲速下降1%。對(duì)于高溫在役設(shè)備常常碰到這種情況。耦合劑的影響。耦合劑是用來(lái)排除和被測(cè)物體之間的空氣，使超聲波能有效地穿入工件達(dá)到檢測(cè)目的。如果選擇種類或使用方法不當(dāng)，將造成誤差或耦合標(biāo)志閃爍，無(wú)法測(cè)量。實(shí)際使用中由于耦合劑使用過(guò)多，造成離開工件時(shí)，儀器示值為耦合劑層厚度值。

步：連接單體電壓采集器（詳見章節(jié)2.4）。

步：放電開關(guān)，撥到分的位置(防止放電電纜反接，損壞儀器；反接告警提示)。

步：把放電線一端連到主機(jī)，另一端連到電池組兩端。（注意紅正黑負(fù)）。接反會(huì)告警提示。（詳見章節(jié)2.5）

第四步：把整組電壓測(cè)試線連接到電池組2端。

第五步：插入電源，主機(jī)開機(jī)。

第六步：進(jìn)入容量快測(cè)參數(shù)設(shè)置。(詳見章節(jié)3.3）

第七步：將放電開關(guān)撥到合的位置。

第八步：“確定”開始測(cè)試。CSP(ChipScalePACkage)：芯片級(jí)封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲(chǔ)容量提升三倍，是由日本三菱公司提出來(lái)的。DIP(DualIn-linePACkage)：雙列直插式封裝，插裝型封裝之一，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，體積比較大。MCM(MultiChipModel)：多芯片模塊封裝，可根據(jù)基板材料分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。QFP(QuadFlatPackage)：四側(cè)引腳扁平封裝，表面貼裝型封裝之一，引腳通常在100以上，適合高頻應(yīng)用，基材方面有陶瓷、金屬和塑料三種。蓄電池充放電一體機(jī) HN1016B 整組蓄電池活化儀定制定做