HN1015A蓄電池充放電，活化測(cè)試儀 蓄電池充電放電測(cè)試儀 HN1016B 直流接地故障檢測(cè)儀試驗(yàn)方法

本儀器是針對(duì)整組蓄電池系列測(cè)試，不同規(guī)格型號(hào)對(duì)整組要求不同，具體根據(jù)儀表為準(zhǔn)。單體電池電壓為2V\12V（根據(jù)具體指標(biāo)定）的鉛酸蓄電池組進(jìn)行測(cè)試的儀器。

測(cè)試步驟介紹具有省電、性能穩(wěn)定、體積小、承載能力大，比一般電磁繼電器性能優(yōu)越的特點(diǎn)。根據(jù)繼電器的型號(hào)不同，可以是交流電壓，也可以是直流電壓。下面我們主要介紹一款需要直流電壓供電的磁保持繼電器的測(cè)試方法。磁保持繼電器內(nèi)部圖1.IT64系列LIST功能IT64系列是四象限電源，具有l(wèi)ist功能，可按照程序所編的電壓電流值輸出。單通道輸出功率15W，電壓可達(dá)±6V，電流±1A，雙極性雙范圍輸出。LIST功能實(shí)測(cè)案例以下是測(cè)試要求：磁保持繼電器的老化測(cè)試，就是重復(fù)讓產(chǎn)品斷開和閉合，進(jìn)行老化測(cè)試。脈沖波形：+4.5V,5msV,5ms-4.5V,5msV,5ms測(cè)試磁保持繼電器的吸合電壓和釋放電壓。一般采用步進(jìn)增大或者減小電壓值的方法去測(cè)試。電壓上升階梯波形：1V為初始值，.1V,1ms進(jìn)行升壓，直至產(chǎn)品動(dòng)作;再以-1V為初始值，-.1V,1ms進(jìn)行升壓，直至產(chǎn)品動(dòng)作。

1.4.1在線監(jiān)測(cè)測(cè)試：

步：連接單體電壓采集器。（詳見(jiàn)章節(jié)2.4）

步：把整組電壓測(cè)試線連接到電池組兩端。（詳見(jiàn)章節(jié)2.5）

步：插入電源，主機(jī)開機(jī)。

第四步：進(jìn)入在線監(jiān)測(cè)參數(shù)設(shè)置。(詳見(jiàn)章節(jié)3.1）

第五步：“確定”開始測(cè)試。

1.4.2 放電測(cè)試：每年都有新發(fā)布，大家都在追逐更高的性能，除了主CPU頻率高以外，還需要關(guān)注GPU，同時(shí)RAM也要越大越好，存儲(chǔ)芯片對(duì)速度的影響，大家又知道多少呢？普及，諾基亞無(wú)可替代20世紀(jì)90年代，風(fēng)靡世界是諾基亞，他推出的1100,1110，3210等型號(hào)，占領(lǐng)了當(dāng)時(shí)80%市場(chǎng)。諾基亞里面集成了Intel的NorFlash芯片，他的快讀取速度僅為5MB/S，這個(gè)速度，應(yīng)付當(dāng)年的游戲“貪吃蛇”的應(yīng)用是足夠了。

步：連接單體電壓采集器（詳見(jiàn)章節(jié)2.4）。純負(fù)載不具此功能

步：放電開關(guān)，撥到分的位置(防止放電電纜反接，損壞儀器；反接告警提示)。

步：把放電線一端連到主機(jī)，另一端連到電池組兩端。（注意紅正黑負(fù)）。接反會(huì)告警提示。（詳見(jiàn)章節(jié)2.5）

第四步：把整組電壓測(cè)試線連接到電池組2端。

第五步：插入電源(電池組供電不用接AC220V電源，直接將放電開關(guān)撥到合的位置)，主機(jī)開機(jī)。

第六步：進(jìn)入放電參數(shù)設(shè)置。(詳見(jiàn)章節(jié)3.2）

第七步：將放電開關(guān)撥到合的位置（電池組供電省略此步驟）。

第八步：“確定”開始測(cè)試。

1.4.3容量快測(cè)（選配功能）環(huán)境試驗(yàn)一般只對(duì)小部分產(chǎn)品進(jìn)行，常見(jiàn)的環(huán)境試驗(yàn)內(nèi)容和方法如下：溫度試驗(yàn)用以檢查溫度環(huán)境對(duì)儀器儀表的影響，確定儀器儀表在高溫和低溫條件下工作和儲(chǔ)存的適應(yīng)性，它包括高溫和低溫負(fù)荷試驗(yàn)、高溫和低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)。高溫試驗(yàn)用以檢查高溫環(huán)境對(duì)儀器儀表的影響，確定儀器儀表在高溫條件下工作和儲(chǔ)存的適應(yīng)性。它包括高溫負(fù)荷試驗(yàn)和高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)。低溫試驗(yàn)用以檢查低溫環(huán)境對(duì)儀器儀表的影響，確定儀器儀表在高溫條件下工作和儲(chǔ)存的適應(yīng)性。

步：連接單體電壓采集器（詳見(jiàn)章節(jié)2.4）。

步：放電開關(guān)，撥到分的位置(防止放電電纜反接，損壞儀器；反接告警提示)。

步：把放電線一端連到主機(jī)，另一端連到電池組兩端。（注意紅正黑負(fù)）。接反會(huì)告警提示。（詳見(jiàn)章節(jié)2.5）

第四步：把整組電壓測(cè)試線連接到電池組2端。

第五步：插入電源，主機(jī)開機(jī)。

第六步：進(jìn)入容量快測(cè)參數(shù)設(shè)置。(詳見(jiàn)章節(jié)3.3）

第七步：將放電開關(guān)撥到合的位置。

第八步：“確定”開始測(cè)試。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。蓄電池充電放電測(cè)試儀 HN1016B 直流接地故障檢測(cè)儀試驗(yàn)方法