青島華能供應(yīng) 全自動(dòng)互感器校驗(yàn)臺(tái) 價(jià)格實(shí)惠HN10A互感器特性綜合測(cè)試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等. 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.其中半導(dǎo)體器件(包括：半導(dǎo)體分立器件、集成電路等)大多數(shù)是輻射敏感器件，輻射環(huán)境對(duì)這些器件的性能會(huì)產(chǎn)生不同程度的影響，甚至使其失效。針對(duì)輻射效應(yīng)，在器件的材料、電路設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝制造及封裝等各個(gè)環(huán)節(jié)采取加固措施，使其具有一定的抗輻射性能。選擇抗輻射加固的器件應(yīng)用在空間輻射環(huán)境中，將能提高航天器的可靠性和使用壽命;應(yīng)用在戰(zhàn)略中，將能提高其效能和突防能力。空間輻射環(huán)境對(duì)電子器件主要產(chǎn)生電離輻射總劑量(TID)效應(yīng)和單粒子效應(yīng)(SEE);核輻射環(huán)境尤其是核環(huán)境，主要產(chǎn)生瞬時(shí)電離輻射總劑量效應(yīng)、中子輻射效應(yīng)和電磁脈沖損傷效應(yīng)。

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)（ALF）、 儀表保安系數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。按照鐵路行業(yè)EN50155標(biāo)準(zhǔn)要求，應(yīng)用在高鐵門(mén)控系統(tǒng)的電源產(chǎn)品其電磁兼容需滿足EN50121-3-2認(rèn)證要求，同時(shí)浪涌需通過(guò)差模（線--線）1KV/共模（線--地）2KV。某高鐵門(mén)控系統(tǒng)，為增強(qiáng)設(shè)備抗干擾能力，減少失效風(fēng)險(xiǎn)，采用隔離電源供電。但在認(rèn)證測(cè)試時(shí)進(jìn)行浪涌試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)的差模浪涌可以滿足要求，但進(jìn)行共模浪涌試驗(yàn)時(shí)，整個(gè)設(shè)備拉弧現(xiàn)象嚴(yán)重，并且導(dǎo)致多處IC損壞。為此，下面對(duì)設(shè)備的設(shè)計(jì)電路進(jìn)行和整改。

具體接線步驟和說(shuō)明如下：

斷開(kāi)電力線與CT一次側(cè)的連接，未接地的電力線較長(zhǎng)，會(huì)給CT一次側(cè)的測(cè)量引入較大干擾，參見(jiàn)圖3.4。

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.3所示，斷開(kāi)被測(cè)CT二次側(cè)和二次負(fù)荷的連接在對(duì)變比值相同的多繞組電流互感器進(jìn)行CT或CT比差角差測(cè)試時(shí)，沒(méi)有測(cè)試的二次繞組應(yīng)短接，否則測(cè)試誤差將會(huì)偏大保護(hù)10P10，LED研發(fā)一LED光源半導(dǎo)體芯片發(fā)熱利用熱像儀，工程師可以根據(jù)得到的光源半導(dǎo)體芯片發(fā)熱紅外熱圖，出其芯片在工作時(shí)的溫度，以及溫度的分布情況，在此基礎(chǔ)，達(dá)到提高LED產(chǎn)品壽命的目的。二LED模塊驅(qū)動(dòng)電路在LED產(chǎn)品研發(fā)中，需要工程師進(jìn)行一部分驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，整流器電路模塊。利用紅外熱像儀，工程師可以迅速而便捷地發(fā)現(xiàn)電路上溫度異常之處，便于完善電路設(shè)計(jì)。三光衰試驗(yàn)LED產(chǎn)品的光衰就是光在傳輸中的信號(hào)減弱，而現(xiàn)階段的LED大廠們做出的LED產(chǎn)品光衰程度都不相同，大功率LED同樣存在光衰，這和溫度有著直接的關(guān)系，主要是由晶片、熒光粉和封裝技術(shù)決定的。暫態(tài)TPY三個(gè)繞組的2000/1的CT，進(jìn)行0.5級(jí)繞組的比差角差測(cè)量時(shí)應(yīng)按照?qǐng)D3實(shí)測(cè)頻譜儀，近場(chǎng)，結(jié)合恒電磁波傳輸小室(簡(jiǎn)稱(chēng)TEM小室)能作為識(shí)別輻射干擾根源的基本工具。本次測(cè)試我們采用鼎陽(yáng)科技SSA3021X頻譜儀和選配的近場(chǎng)以及TekBox的TEM小室。我們打開(kāi)頻譜儀然后設(shè)置如下：SPAN設(shè)置為530KHz到2MHz;RBW設(shè)置為9KHz，衰減設(shè)置為0dB，顯示設(shè)置為電壓平均;打開(kāi)頻譜儀標(biāo)配的預(yù)置放大器，并選用正峰值檢波器，測(cè)試結(jié)果如下:頻譜儀基礎(chǔ)設(shè)置在以上設(shè)置參數(shù)參考的情況下，顯示平均噪聲電平(DANL)大約在-20dBμV左右，這個(gè)指標(biāo)在同級(jí)別的頻譜儀中算是非常好的。.4.1進(jìn)行接線具體接線步驟和說(shuō)明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.6所示，斷開(kāi)PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負(fù)荷的一端，參見(jiàn)圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負(fù)荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時(shí)，CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應(yīng)保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)按照實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)認(rèn)定評(píng)審準(zhǔn)則的規(guī)定，實(shí)驗(yàn)室使用的文件必須是現(xiàn)行有效的，實(shí)驗(yàn)室不能使用作廢標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)展檢測(cè)工作。實(shí)驗(yàn)室采用新標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)展工作，則必須及時(shí)到實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)認(rèn)定和/或CNAS認(rèn)可的發(fā)證機(jī)構(gòu)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)變更。目前，有的實(shí)驗(yàn)室怕麻煩，往往等到復(fù)評(píng)審或監(jiān)督評(píng)審時(shí)才進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)變更。在新標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)始實(shí)施到通過(guò)實(shí)驗(yàn)室復(fù)評(píng)審或監(jiān)督評(píng)審之間如果按新標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)展檢驗(yàn)工作，則是超范圍檢驗(yàn)。還有一種隱性超能力范圍的情形。實(shí)驗(yàn)室通過(guò)的檢驗(yàn)?zāi)芰Ψ秶鷷r(shí)，實(shí)際隱含的意思是包括產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中引用標(biāo)準(zhǔn)也通過(guò)實(shí)驗(yàn)室評(píng)審。青島華能供應(yīng) 全自動(dòng)互感器校驗(yàn)臺(tái) 價(jià)格實(shí)惠