青島華能HN系列 互感器全自動校驗裝置 質(zhì)量皮實HN10A互感器特性綜合測試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測量校核型號的CT、PT，包括保護(hù)CT、計量CT、TP級暫態(tài)CT、勵磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級PT等. 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測量.實測頻譜儀，近場，結(jié)合恒電磁波傳輸小室(簡稱TEM小室)能作為識別輻射干擾根源的基本工具。本次測試我們采用鼎陽科技SSA3021X頻譜儀和選配的近場以及TekBox的TEM小室。我們打開頻譜儀然后設(shè)置如下：SPAN設(shè)置為530KHz到2MHz;RBW設(shè)置為9KHz，衰減設(shè)置為0dB，顯示設(shè)置為電壓平均;打開頻譜儀標(biāo)配的預(yù)置放大器，并選用正峰值檢波器，測試結(jié)果如下:頻譜儀基礎(chǔ)設(shè)置在以上設(shè)置參數(shù)參考的情況下，顯示平均噪聲電平(DANL)大約在-20dBμV左右，這個指標(biāo)在同級別的頻譜儀中算是非常好的。

自動給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)（ALF）、 儀表保安系數(shù)（FS）、 二次時間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級、飽和和不飽和電感等參數(shù)。拿出征能ES325E儀表。測量絕緣電阻的原理圖及接線圖如下。拿黑色線鉗住電動機(jī)的外殼上。用紅色表筆接觸電動機(jī)電壓輸入端。對應(yīng)的顏色插入儀表。將旋轉(zhuǎn)開關(guān)轉(zhuǎn)到Ω檔，默認(rèn)電壓是25V。按黃色VSEL鍵選擇電壓檔位。此時選擇的是5V檔位。按紅色TEST鍵開始測量。電源指示燈一直在亮，證明檢測中，稍等片刻。電源指示燈不亮了，測量完成，此時用征能ES325E數(shù)字絕緣電阻表（5V）測量出來的絕緣電阻值為：8.85KMΩ。

具體接線步驟和說明如下：

斷開電力線與CT一次側(cè)的連接，未接地的電力線較長，會給CT一次側(cè)的測量引入較大干擾，參見圖3.4。

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照圖3.3所示，斷開被測CT二次側(cè)和二次負(fù)荷的連接在對變比值相同的多繞組電流互感器進(jìn)行CT或CT比差角差測試時，沒有測試的二次繞組應(yīng)短接，否則測試誤差將會偏大保護(hù)10P10，動能攔截器由姿控、軌控發(fā)動機(jī)組合提供直接控制力，采用側(cè)窗探測紅外凝視成像尋的末制導(dǎo)，能夠識別、鎖定并直接碰撞摧毀彈道彈頭。這一防御系統(tǒng)對亞太地區(qū)尤其對勢必帶來諸多麻煩。但大家認(rèn)為系統(tǒng)對的威脅并非是攔截，而是其二核心組件雷達(dá)系統(tǒng)。AN/TPY-2X波段相控陣?yán)走_(dá)，是世界上性能強(qiáng)的陸基機(jī)動反導(dǎo)探測雷達(dá)之一，該雷達(dá)探測距離約2公里，對反射面積為1平方米(典型彈道彈頭的反射面積)的目標(biāo)的探測距離約12千米，可以說一旦部署，大半個都在該系統(tǒng)的監(jiān)視之下。暫態(tài)TPY三個繞組的2000/1的CT，進(jìn)行0.5級繞組的比差角差測量時應(yīng)按照圖3由于不規(guī)則的脈沖序列分布，其非周期性的特點(diǎn)，使得峰值功率儀的普通觸發(fā)方式難以準(zhǔn)確測量這種類型的脈沖信號。需要通過峰值功率儀的觸發(fā)釋抑功能進(jìn)行測量。峰值功率儀測量復(fù)雜脈沖調(diào)制序列的方法雷達(dá)、遙感追蹤、核磁共振成像和無線通信應(yīng)用如TDMGSM等復(fù)雜調(diào)制信號如下圖所示，脈沖序列在時域上是不規(guī)則分布的，在較長時間內(nèi)是重復(fù)的周期信號，但在短時間內(nèi)則不是。由于脈沖序列的非周期性，峰值功率儀使用普通觸發(fā)方式無法準(zhǔn)確測量這種類型的脈沖信號。.4.1進(jìn)行接線具體接線步驟和說明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照圖3.6所示，斷開PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負(fù)荷的一端，參見圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負(fù)荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時，CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應(yīng)保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)世界半導(dǎo)體工業(yè)界，這種進(jìn)步至少仍將持續(xù)10到15年。面對現(xiàn)有的晶體管模式及技術(shù)已經(jīng)臨近極限，借助芯片設(shè)計人員巨大的創(chuàng)造才能，使一個個看似不可逾越的難關(guān)化險為夷，硅晶體管繼續(xù)著小型化的步伐。近期美國科學(xué)家的科技成果顯示，將10納米長的圖案壓印在硅片上的時間為四百萬分之一秒，把硅片上晶體管的密度提高了100倍，同時也大大提高了線生產(chǎn)的速度。這一成果將使電子產(chǎn)品繼續(xù)微小化，使摩爾定律繼續(xù)適用。青島華能HN系列 互感器全自動校驗裝置 質(zhì)量皮實